[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201710092605.1 申请日: 2017-02-21
公开(公告)号: CN107065324B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 黄建文;叶詠津 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,其特征在于,包含:

一数据线;

一第一主动元件,包含一第一漏极;

一第二主动元件,包含一第二漏极;

一第一辅助电极,与该第一漏极接触且直接连接并从该第一漏极延伸而出;

一第二辅助电极,与该第二漏极接触且直接连接并从该第二漏极延伸而出,其中该数据线位于该第一辅助电极与该第二辅助电极之间;

一第一像素电极,位于该第一辅助电极之上;以及

一第二像素电极,位于该第二辅助电极之上,且该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该数据线的相对两侧,其中该第一辅助电极与该第二辅助电极之间的最小水平距离小于该第一像素电极与该第二像素电极之间的最小水平距离,其中该第一像素电极与该数据线之间的最小水平距离异于该第二像素电极与该数据线之间的最小水平距离。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该数据线与该第一辅助电极之间的水平距离约等于该数据线与该第二辅助电极之间的水平距离。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包含:

一第一遮光层,其中该第一辅助电极至少位于该第一遮光层上方;以及

一第二遮光层,其中该第二辅助电极至少位于该第二遮光层上方,且该第一遮光层与该第二遮光层之间的水平距离小于该第一辅助电极与该第二辅助电极之间的水平距离。

4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包含:

一第三主动元件,包含一第三漏极,其中该数据线与该第二主动元件及该第三主动元件电性连接,且该第二主动元件的该第二漏极与该第三主动元件的该第三漏极分别位于该数据线的相对两侧。

5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,该数据线沿一第一方向延伸,且该第二主动元件与该第三主动元件为该数据线于该第一方向上的连续排列的两个主动元件。

6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包含:

一第一绝缘层,其中该数据线、该第一辅助电极及该第二辅助电极位于该第一绝缘层上;以及

一第二绝缘层,位于该数据线、该第一辅助电极、该第二辅助电极及该第一绝缘层之上。

7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该像素结构设置于一基板上,且该第一像素电极至该基板的垂直投影与该第一辅助电极至该基板的垂直投影至少部分重叠,且该第二像素电极至该基板的垂直投影与该第二辅助电极至该基板的垂直投影至少部分重叠。

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