[发明专利]基于线路移位的金属线布局有效
| 申请号: | 201710086042.5 | 申请日: | 2017-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN107093576B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | T·梅尔德;M·U·勒尔;T·赫尔曼;J·哈斯曼;M·A·迈耶;R·K·坤查 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 线路 移位 金属线 布局 | ||
1.一种针对半导体装置的金属化层的金属线产生布局的方法,该方法包含:
针对该半导体装置的该金属化层的金属线提供布局;
将该布局中的金属线识别为半隔离金属线;
判定直接连接至该金属化层中所形成贯孔的该经识别的半隔离金属线的第一部分;以及
移位该布局内该经识别的半隔离金属线的至少一第二部分,其中,将该经识别的半隔离金属线的该至少一第二部分移位到排除该经识别的半隔离金属线受判定直接连接至该贯孔的该第一部分。
2.如权利要求1所述的方法,其更包含增大该经识别的半隔离金属线的该经移位的至少一第二部分的宽度及长度其中至少一者。
3.如权利要求1所述的方法,其中,该经识别的半隔离金属线邻接于另一金属线,并且其中,该经识别的半隔离金属线的该至少一第二部分离该邻接的金属线的距离通过该移位来增大。
4.如权利要求3所述的方法,其中,针对该邻接的金属线重复以下步骤:将该布局中的该金属线识别为半隔离金属线、以及移位该经识别的半隔离金属线的至少一第二部分。
5.如权利要求1所述的方法,其中,该经识别的半隔离金属线以一预定距离来移位,该预定距离是该经识别的半隔离金属线的宽度的1/4、1/2及1倍其中一者。
6.如权利要求1所述的方法,其中,当该布局中该金属线的至少一部分离邻接的金属线的距离为至少一预定值时,将该布局中的金属线识别为半隔离金属线。
7.如权利要求6所述的方法,其中,该预定值是该布局中该金属线的宽度的2、3或4倍其中一者。
8.如权利要求1所述的方法,其更包含自图案目录读取图案,并且其中,基于该读取的图案来进行该经识别的半隔离金属线的该至少一第二部分的该移位。
9.如权利要求1所述的方法,其中,基于设计规则来进行该经识别的半隔离金属线的该至少一第二部分的该移位。
10.一种针对半导体装置的金属化层的金属线产生布局的方法,该方法包含:
提供包含该半导体装置的该金属化层的多条金属线的第一布局;
识别该第一布局中该多条金属线里的半隔离金属线;
判定直接连接至该金属化层中所形成贯孔的该经识别的半隔离金属线的部分;
将该经识别的半隔离金属线的至少部分移位到该第一布局中的可用空间内以产生第二布局,使得该经识别的半隔离金属线的该经移位部分比该第一布局中该经识别的半隔离金属线在移位前的该部分离该第二布局中最接近的邻接的金属线更远;
其中,将该经识别的半隔离金属线的至少部分移位到该可用空间内排除该经识别的半隔离金属线受判定直接连接至该贯孔的该部分。
11.如权利要求10所述的方法,其更包含基于该经识别的半隔离金属线、该可用空间、及该经识别的半隔离金属线受判定直接连接至该贯孔的该部分来界定移位窗,并且其中,将该经识别的半隔离金属线的该至少部分移位到该可用空间内通过该所界定的移位窗来进行。
12.如权利要求10所述的方法,其更包含自图案目录读取图案,并且其中,基于该读取的图案来进行该经识别的半隔离金属线的该至少部分的该移位。
13.如权利要求10所述的方法,其更包含通过光学邻近校正技术来增大该经识别的半隔离金属线的该经移位的至少部分的至少一些的宽度及长度其中至少一者。
14.如权利要求10所述的方法,其中,当该金属线的至少部分离邻接的金属线的距离为选自于该金属线的宽度2至5倍范围的至少一预定值时,将该第一布局的该金属线的金属线判定为半隔离金属线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





