[发明专利]中介层，以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法

说明书

本发明公开了一种中介层，以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法，其中中介层包括第一重分布层、有机基板、电容、硬罩层、第一导电柱及第二重分布层。有机基板位于第一重分布层上。电容嵌设于有机基板中且包括第一电极层、第二电极层，以及位于第一电极层及第二电极层之间的电容介电层，第一电极层电性连接第一重分布层。硬罩层位于有机基板上。导电柱嵌设于有机基板及硬罩层中且电性连接第一重分布层。第二重分布层位于硬罩层上且电性连接第二电极层及导电柱。电容嵌设于有机基板中，而有益于微缩中介层的尺寸，有机基板则可降低制作中介层的成本，并且，硬罩层可避免中介层发生翘曲。

技术领域

本发明是关于具有嵌入的金属—绝缘体—金属(Metal-insulator-metal，MIM)电容的半导体封装体及其制作方法。本发明特别是关于具有嵌入的MIM电容的中介层、含有此中介层的半导体封装体及制作此半导体封装体的方法。

背景技术

半导体集成电路(Integrated circuit，IC)产业历经快速发展，在发展期间，半导体装置的尺寸及形状均巨幅地缩小。近期以来，工业上已发展出能够垂直整合半导体装置的技术，其中一种常见的已知方法为2.5维(2.5-dimensional，2.5D)封装技术。

在2.5维封装技术中，常利用将主动元件和被动元件(例如：电容)形成于硅中介层上的方式来形成半导体封装体。然而，这些主动元件和被动元件通常需要较大的安装空间，因此，要进一步微缩半导体封装体的尺寸是困难的。因此，目前亟需发展出改良的中介层、改良的半导体封装体及制作此半导体封装体的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种中介层、含有此中介层的半导体封装体及制作此半导体封装体的方法，其将电容嵌设于有机基板中，而有益于微缩中介层的尺寸，有机基板则可降低制作中介层的成本，并且，硬罩层可避免中介层发生翘曲。

为实现上述目的，本发明提供一种中介层，中介层包括第一重分布层、有机基板、电容、硬罩层、第一导电柱及第二重分布层。有机基板位于第一重分布层上。电容嵌设于有机基板中且包括第一电极层、第二电极层，以及位于第一电极层及第二电极层之间的电容介电层，第一电极层电性连接第一重分布层。硬罩层位于有机基板上。第一导电柱嵌设于有机基板及硬罩层中且电性连接第一重分布层。第二重分布层位于硬罩层上且电性连接第二电极层及第一导电柱。

在一实施方式中，第一电极层围绕第二电极层，且与第二电极层共轴。

在一实施方式中，电容贯穿有机基板。

在一实施方式中，第一导电柱贯穿硬罩层及有机基板。

在一实施方式中，第一导电柱通过第二重分布层电性连接第二电极层。

在一实施方式中，第一电极层具有与第一重分布层共平面的平面。

在一实施方式中，第一电极层具有与硬罩层共平面的平面。

在一实施方式中，第一导电柱具有与第二重分布层共平面的平面。

在一实施方式中，中介层进一步包括微凸块，微凸块电性连接第一重分布层。

在一实施方式中，中介层进一步包括第二导电柱，第二导电柱嵌设于硬罩层中，且介于第二电极层及第二重分布层之间。

为实现前述目的，本发明又提供一种半导体封装体，半导体封装体包括中介层、微凸块及晶片。中介层包括第一重分布层、有机基板、电容、硬罩层、第一导电柱及第二重分布层。有机基板位于第一重分布层上。电容嵌设于有机基板中且包括第一电极层、第二电极层，以及位于第一电极层及第二电极层之间的电容介电层，第一电极层电性连接第一重分布层。硬罩层位于有机基板上。第一导电柱嵌设于有机基板及硬罩层中且电性连接第一重分布层。第二重分布层位于硬罩层上且电性连接第二电极层及第一导电柱。微凸块电性连接第一重分布层。晶片连接微凸块。