[发明专利]中介层,以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法有效
申请号: | 201710085776.1 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN108269784B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 施信益;管式凡;吴铁将 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/48;H01L23/64;H01L25/065 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中介 以及 包含 半导体 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种中介层,其包括:
第一重分布层,其包括互连结构;
单层的有机材料,其直接位于所述第一重分布层上;
电容,嵌设于所述单层的有机材料中,所述电容完整地位于所述单层的有机材料中并延伸且终止于所述单层的有机材料的两个相对表面之间且包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极及所述第二电极之间的电容介电层,所述第一电极在所述单层的有机材料的所述两个相对表面的一者处直接电性连接所述第一重分布层的所述互连结构的表面;
单个硬罩,所述单个硬罩具有直接位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的另一者上的表面上;
第一连续导电柱,嵌设于所述单层的有机材料及所述单个硬罩中并延伸穿过所述单层的有机材料及所述单个硬罩,所述第一连续导电柱在所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述一者处直接电性连接所述第一重分布层的所述互连结构;以及
第二重分布层,其包括互连结构,所述第二重分布层的所述互连结构具有直接位于所述单个硬罩的表面上的表面,所述单个硬罩的所述表面与所述单个硬罩位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述另一者上的所述表面相对,所述第二重分布层的所述互连结构在与所述单个硬罩位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述另一者上的所述表面相对的所述单个硬罩的所述表面处,通过第二连续导电柱直接电性连接所述第二电极,所述第二连续导电柱从所述第二电极延伸穿过所述单个硬罩而位于所述单个硬罩直接位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述另一者上的所述表面及与所述单个硬罩位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述另一者上的所述表面相对的所述单个硬罩的所述表面之间,且所述第二重分布层的所述互连结构在所述单个硬罩直接位于所述单层的有机材料的所述两个相对表面的所述另一者上的所述表面处直接电性连接所述第一连续导电柱。
2.如权利要求1所述的中介层,其中,所述第一电极围绕所述第二电极,且与所述第二电极共轴。
3.如权利要求1所述的中介层,其中,所述第一电极具有与所述第一重分布层的所述互连结构的所述表面接触的表面,所述第一电极的所述表面与所述第一重分布层的所述互连结构的所述表面沿共同平面相交会。
4.如权利要求1所述的中介层,其中,所述第二电极具有与所述单个硬罩的所述表面接触的表面,所述第二电极的所述表面与所述单个硬罩的所述表面沿共同平面相交会。
5.如权利要求1所述的中介层,其中,所述第一连续导电柱具有与所述第二重分布层的所述互连结构的所述表面接触的表面,所述第一连续导电柱的所述表面与所述第二重分布层的所述互连结构的所述表面沿共同平面相交会。
6.如权利要求1所述的中介层,其进一步包括微凸块,所述微凸块延伸穿过位于所述第一重分布层的相对于所述单层的有机材料的表面上的钝化材料,且电性连接所述第一重分布层的所述互连结构。
7.一种半导体封装体,其包括:
如权利要求1所述的中介层;
微凸块,所述微凸块穿过位于所述第一重分布层的相对于所述单层的有机材料的表面上的钝化材料而电性连接所述第一重分布层的所述互连结构;以及
晶片,连接所述微凸块。
8.如权利要求7所述的半导体封装体,其中,所述第一电极围绕所述第二电极,且与所述第二电极共轴。
9.如权利要求7所述的半导体封装体,其中,所述第二电极具有表面,所述第二电极的所述表面与所述单个硬罩的所述表面沿共同平面相交会。
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