[发明专利]半导体装置和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710084874.3 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN107104055B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 吴俊杰;赵昱翔;张仲尧;郭峻诚 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

发明涉及一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含衬底、第一封装本体和至少一个连接元件。所述衬底具有第一表面。所述第一封装本体安置为邻近于所述衬底的所述第一表面,且界定至少一个模腔。所述连接元件安置为邻近于所述衬底的所述第一表面且位于对应模腔中。在所述连接元件的一部分的周边表面与所述模腔的一部分的侧壁之间具有空间。所述连接元件的末端部分延伸超出所述第一封装本体的最外表面。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置和其制造方法。确切地说,本发明涉及一种包含至少一个延伸超出其封装本体的连接元件的半导体装置和其制造方法。

背景技术

一般来说,半导体封装可包含:衬底(substrate),其具有安置在所述衬底上方的半导体裸片(semiconductor die);插入件(interposer);互连件(interconnects),其用以在所述衬底与所述插入件之间形成电连接;和模制化合物(molding compound),其形成于所述衬底与所述插入件之间以囊封(encapsulate)所述半导体裸片和所述互连件。然而,此类半导体封装的厚度(例如,大于1.0毫米(mm))比一些半导体封装的规定厚度(例如,小于0.5mm)大。此外,通过插入件的表面上的焊垫(pad)将半导体封装接合到主板(motherboard)(例如,印刷电路板)较为困难,因此质量和产量较低。

发明内容

本发明涉及一种半导体装置。在一实施例中,所述半导体装置包含衬底、封装本体(package body)和连接元件(connecting element)。所述封装本体安置为邻近于所述衬底的表面,并界定模腔(cavity)。所述连接元件安置为邻近于所述衬底的所述表面并位于所述模腔中。在所述连接元件的一部分的周边表面(periphery surface)与所述模腔的一部分的侧壁之间具有空间。所述连接元件的末端部分延伸超出所述封装本体的最外表面。

在一实施例中,一种半导体装置包含衬底,所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底包含至少一个球垫(ball pad)。所述半导体装置进一步包含封装本体,所述封装本体安置为邻近于所述衬底的所述第一表面,所述封装本体界定模腔,且所述模腔包含第一部分和第二部分。所述半导体装置进一步包含与所述衬底隔开的装置,以及连接所述衬底与所述装置的至少一个连接元件。每一连接元件包含第一部分和第二部分,所述连接元件的所述第一部分填充所述模腔的所述第一部分并接触相应球垫,所述连接元件的所述第二部分位于所述模腔的所述第二部分中,在所述连接元件的所述第二部分的周边表面与所述模腔的所述第二部分的侧壁之间具有空间,且所述连接元件的所述第二部分连接到所述装置。所述半导体装置进一步包含附接并电连接到所述衬底的所述第二表面的传感器板(sensor plate)。

一种用于制造半导体装置的方法包含:(a)提供衬底和半导体裸片,其中所述半导体裸片电连接到所述衬底的表面;(b)邻近于所述衬底表面所述表面形成第一焊料球;(c)形成封装本体,以囊封所述半导体裸片和所述第一焊料球;(d)去除所述封装本体的一部分以形成开口,以暴露所述第一焊料球的一部分;和(e)将第二焊料球与第一焊料球熔合以形成连接元件,其中在所述连接元件的一部分的周边表面与所述开口的侧壁之间具有空间,且所述连接元件的末端部分延伸超出所述封装本体。

附图说明

图1为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图2为图1中所说明的半导体装置的区域‘A’的部分放大视图。

图3为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图4为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图5为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图6为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

图7为根据本发明的实施例的半导体装置的横截面图。

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