[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，且包括至少一个安置在其上的垫；

第一阻焊层，其覆盖所述衬底的所述第一表面，其中所述垫安置于所述衬底的所述第一表面上且从所述第一阻焊层暴露；

传感器板，其附接和电连接到所述衬底的所述第二表面，其中所述传感器板为玻璃板；

第一封装本体，其安置为邻近于所述衬底的所述第一表面及于所述第一阻焊层上方，所述第一封装本体界定至少一个模腔，其中所述模腔包含第一部分和第二部分；和

至少一个连接元件，其安置为邻近于所述衬底的所述第一表面且位于对应模腔中，其中在所述连接元件的一部分的周边表面与所述模腔的一部分的侧壁之间界定空间，所述连接元件包含核心部分和覆盖所述核心部分的周边部分，所述核心部分的材料具有高于所述周边部分的材料的熔化温度的熔化温度，所述连接元件包含第一部分和第二部分，所述连接元件的所述第一部分填充所述模腔的所述第一部分并接触所述垫及所述第一阻焊层，所述连接元件的所述第二部分位于所述模腔的所述第二部分中，所述空间是在所述连接元件的所述第二部分的周边表面与所述模腔的所述第二部分的侧壁之间，所述模腔的所述第一部分的侧壁的曲度与所述模腔的所述第二部分的侧壁的曲度不连续，所述模腔的所述第二部分的最大横向宽度大于所述模腔的所述第一部分的最大横向宽度，所述连接元件的所述第一部分的所述周边表面的曲度与所述连接元件的所述第二部分的周边表面的曲度不连续，所述连接元件的所述第二部分的最大横向宽度大于所述连接元件的所述第一部分的最大横向宽度，且所述连接元件的末端部分为自由端且延伸超出所述第一封装本体的最外表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一阻焊层接触所述连接元件的侧表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接元件的所述核心部分从所述模腔的所述第一部分突出且不从所述模腔的所述第二部分突出。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述核心部分的所述材料不同于所述周边部分的所述材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接元件的所述第一部分的所述横向宽度小于或等于W1，所述连接元件的所述第二部分的所述横向宽度小于或等于W₂，W₂＝a*W₁，且a是大于1到1.6。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接元件包含颈部部分、所述颈部部分上方的所述第一部分以及所述颈部部分下方的所述第二部分，所述空间延伸至所述连接元件的所述颈部部分。