[发明专利]大尺寸图像传感器及其图像校正方法有效

专利信息
申请号: 201710084628.8 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN107566763B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 陈超林 申请(专利权)人: 思特威(上海)电子科技有限公司
主分类号: H04N5/341 分类号: H04N5/341;H04N5/217;H04N17/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 200233 上海市徐*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 尺寸 图像传感器 及其 图像 校正 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的图像校正方法,其特征在于,所述图像校正方法用于对所述图像传感器的芯片内部的像素差异及所述图像传感器的物理尺寸引起的图像均匀性变差问题进行校正,所述图像校正方法包括以下步骤:

将每颗图像传感器芯片的整个像素阵列按格子划分成若干子阵列;

使用不同光强的均匀光照射所述图像传感器芯片,记录每个光强下各个子阵列的输出强度;

计算每个光强下各个子阵列的输出强度的偏差值,以获得各个子阵列在每个光强下的拟合值;

最后,在所述图像传感器芯片封装完成出厂前,将所述拟合值写入所述图像传感器芯片的内部存储单元中,并设置所述图像传感器芯片在出厂后用于输出图像时,自动从所述内部存储单元中调取相应的拟合值对各个子阵列的输出进行校正,以输出校正后的图像。

2.如权利要求1所述的图像传感器的图像校正方法,其特征在于,将每颗图像传感器芯片的整个像素阵列进行(n+1)×(m+1)等分,以划分成若干相同大小的子阵列,其中,n≥1,m≥1。

3.如权利要求1所述的图像传感器的图像校正方法,其特征在于,所述图像传感器芯片的光学尺寸为1/2英寸以上。

4.如权利要求1所述的图像传感器的图像校正方法,其特征在于,所述均匀光的波长为400nm~1000nm。

5.如权利要求1所述的图像传感器的图像校正方法,其特征在于,在计算出每个光强下各个子阵列的输出强度的偏差值后,以所述整个像素阵列的中心为基准,将各个子阵列在每个光强下的偏差值作拟合曲线,并记录各个子阵列在所述拟合曲线中对应点的值,从而获得各个子阵列在每个光强下的拟合值。

6.如权利要求1所述的图像传感器的图像校正方法,其特征在于,所述内部存储单元为一次可编程存储器OTP或者快闪存储器flash。

7.一种图像传感器,具有像素阵列和内部存储单元,其特征在于,整个所述像素阵列按格子划分为若干子阵列,所述内部存储单元中存储有在所述图像传感器芯片封装完成出厂前测得的各个所述子阵列在不同光强下的拟合值,所述拟合值用于对所述图像传感器的芯片内部的像素差异及所述图像传感器的物理尺寸引起的图像均匀性变差问题进行校正;所述图像传感器在输出图像时能自动从所述内部存储单元中调取相应的拟合值来对各个子阵列的输出进行校正,以输出校正后的图像。

8.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述像素阵列被设置为由(n+1)×(m+1)个相同大小的子阵列组成,其中,n≥1,m≥1。

9.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器芯片的光学尺寸为1/2英寸以上。

10.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述内部存储单元为一次可编程存储器OTP或者快闪存储器flash。

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