[发明专利]元件芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种元件芯片的制造方法，包括：

准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；

激光切割工序，在用支承构件支承了所述第2主面的状态下，从所述第1主面一侧对所述分割区域照射激光，从而将所述基板分割为具备所述元件区域的多个元件芯片，并且在所述元件芯片的端面形成损伤区域；

保护膜沉积工序，在所述激光切割工序之后，使保护膜沉积在所述第1主面以及所述元件芯片的端面；和

保护膜蚀刻工序，在所述保护膜沉积工序之后，通过将所述元件芯片暴露于等离子体而各向异性地蚀刻所述保护膜，从而除去沉积在所述第1主面的所述保护膜，并且使覆盖所述损伤区域的所述保护膜残留。

2.一种元件芯片，具备第1层和第2层，所述第1层是半导体层并且具备层叠面和层叠面的相反侧的面，所述第2层包含层叠在所述层叠面上的绝缘膜，

所述元件芯片还具备：

损伤区域，其形成在所述第1层以及所述第2层的端面；和

保护膜，其形成在所述第1层以及所述第2层的端面并且被覆所述损伤区域。