[发明专利]多光谱图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种多光谱图像传感器，包括：

前端结构，用于进行光电转换和处理；

第一材料层，覆盖所述前端结构上的金属连线；

设置于所述第一材料层上的像素层所述像素层包括第一像素单元至第N像素单元，每个像素单元与其相邻的像素单元不同，所述第一像素单元仅涂覆有第一感光材料层，所述第K像素单元仅涂覆有第K感光材料层，所述第N像素单元仅涂覆有第N感光材料层，所述第一感光材料层至第N感光材料层的感光波长不同，1＜K＜N；

其中，N≥4，所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同；在每个阵列的像素单元的感光半波长宽度为λ_i/2-20nm～λ_i/2+20nm，其中λ_i为第i像素单元的设定感光波长，1≤i≤N。

2.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，所述像素单元排列成多个重复的阵列。

3.如权利要求2所述的多光谱图像传感器，其特征在于，在每个阵列中像素单元的感光波长依次增加。

4.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，所述前端结构具有金属连线，每个像素单元皆设置在相邻金属连线之间。

5.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，还包括：设置于所述像素层上的微透镜层。

6.如权利要求1所述的多光谱图像传感器，其特征在于，还包括：设置于所述前端结构边缘的焊盘区。

7.一种多光谱图像传感器的制作方法，制作如权利要求1-6中任一项所述的多光谱图像传感器，其特征在于，包括：

提供前端结构，所述前端结构用于进行光电转换和处理；

在前端结构上涂覆第一材料层，覆盖前端结构上的金属连线；

在第一材料层上涂覆第一感光材料层，并通过光刻形成第一像素单元；

在第一材料层上涂覆第K感光材料层，并通过光刻形成第K像素单元；

在第一材料层上涂覆第N感光材料层，并通过光刻形成第N像素单元；其中，每个像素单元与其相邻的像素单元不同，第一感光材料层至第N感光材料层的感光波长不同，1＜K＜N；

其中，N≥4，所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同；

所述第一感光材料层至第N感光材料层的感光半波长宽度为λ_i/2-20nm～λ_i/2+20nm，其中λ_i为第i感光材料层的设定感光波长，1≤i≤N。

8.如权利要求7所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，第一像素单元至第N像素单元依次排布成阵列。

9.如权利要求7所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，将每个像素单元皆形成在相邻金属连线之间。

10.如权利要求7所述的多光谱图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述前端结构上形成像素层之后，还包括：

形成第二材料层覆盖所述像素层和第一材料层；

在第二材料层位于像素层上的区域上形成透镜材料层；

经过光刻工艺使得所述透镜材料层形成微透镜层；

形成第三材料层覆盖所述微透镜层和第二材料层；

经过光刻、刻蚀工艺暴露出所述前端结构的边缘部分区域，形成焊盘区；

去除所述第三材料层。