[发明专利]顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构

说明书

本发明提供一种顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构。该顶发射型OLED显示器件的制作方法在封装盖板(5)上对应顶发射型OLED(3)的非发光区域(A2)的部分制备辅助电极(7)，在所述辅助电极(7)上涂布纳米金球(9)，对组封装盖板(5)与TFT阵列基板(1)并进行封装后，纳米金球(9)导通辅助电极(7)与顶发射型OLED(3)的透明阴极(33)，能够避免辅助电极制程对有机发光材料层与阴极的损伤，增强阴极的导电率，降低大尺寸OLED显示器件的IR drop。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器件以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。

目前应用OLED的产品主要分在小尺寸的手机、平板电脑(Pad)屏幕和较大尺寸的电视(TV)屏幕等。

在大尺寸OLED显示器件应用方向，市面上的产品大多采用底发射型(Bottom)结构，将OLED的阴极采用较厚的金属层。但随着分辨率的增长，Bottom OLED会受到开口率的限制，难以实现高分辨率。越来越多的从业者将精力转向顶发射型(Top)OLED的开发，以期望实现更高的分辨率。

Top OLED的阴极使用较薄的透明金属，实现与屏幕边缘电路的连接。由于需兼顾透光率，透明阴极厚度较薄，导致导电能力差。在屏幕尺寸较大时，屏幕中心区域由于离电极接口较远，长距离的电流传输使其驱动电压上升较大，易造成屏幕边缘和屏幕中心的OLED元件的驱动电压差距大，即有电压降(IR drop)的问题，仅依靠对驱动电路做修正，难以有效改善IR drop，屏幕会出现中心亮度较暗的缺陷。因此，需对Top OLED的阴极进行改善，提升导电率，缩小驱动电压的差距。

对Top OLED的阴极进行改善的方法之一是在Top OLED的透明金属阴极之上增设辅助电极或辅助导线，来增加阴极层的导电率，以减少IR drop所带来的问题。但是，在透明金属阴极上直接制作辅助电极受到多个局限因素的影响：首先，用做透明阴极的金属材料极易被氧化，需隔绝水、氧及其它氧化性强的物质的污染；其次，OLED中的有机发光材料层在较高温度下会变质，直接影响到OLED器件的表现，其耐受制程温度一般不超过80℃。而目前业界聚焦的解决方案，其一是增设类似于氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明电极，其制程温度较高，一般超过150℃，会破坏OLED中的有机发光材料层；另一种是采用纳米银线，但同样会受到纳米银线烧结温度较高的困扰。虽然目前已有室温烧结的纳米银浆问世，但纳米银浆的溶质一般采用水基(为便于蒸发去除)，会将OLED的透明阴极材料氧化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶发射型OLED显示器件的制作方法，能够避免现有辅助电极制程对有机发光材料层与阴极的损伤，增强阴极的导电率，降低大尺寸OLED显示器件的IR drop。

本发明的另一目的在于提供一种顶发射型OLED显示器件结构，其阴极导电性能较好，IR drop较低。

为实现上述目的，本发明首先提供一种顶发射型OLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供TFT阵列基板；

步骤S2、在所述TFT阵列基板上制备出呈矩阵式分布的多个顶发射型OLED；

每一顶发射型OLED包括自下至上依次层叠的阳极、有机发光材料层、及透明阴极；每一顶发射型OLED具有发光区域、及除发光区域以外的及非发光区域；

步骤S3、提供封装盖板，在封装盖板上对应顶发射型OLED的非发光区域的部分制备辅助电极；

步骤S4、在所述辅助电极上涂布单层纳米金球；