[发明专利]顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构

权利要求书

1.一种顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供TFT阵列基板(1)；

步骤S2、在所述TFT阵列基板(1)上制备出呈矩阵式分布的多个顶发射型OLED(3)；

每一顶发射型OLED(3)包括自下至上依次层叠的阳极(31)、有机发光材料层(32)、及透明阴极(33)；每一顶发射型OLED(3)具有发光区域(A1)、及除发光区域(A1)以外的非发光区域(A2)；

步骤S3、提供封装盖板(5)，在封装盖板(5)上对应顶发射型OLED(3)的非发光区域(A2)的部分制备辅助电极(7)；

步骤S4、在所述辅助电极(7)上涂布单层纳米金球(9)；

步骤S5、使制备在封装盖板(5)上的辅助电极(7)与纳米金球(9)朝向TFT阵列基板(1)，对组封装盖板(5)与TFT阵列基板(1)并进行封装，使得纳米金球(9)导通辅助电极(7)与顶发射型OLED(3)的透明阴极(33)；

所述TFT阵列基板(1)包括呈矩阵式分布的多个开关TFT(T1)、与开关TFT(T1)对应连接的多个驱动TFT(T2)、以及覆盖开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的平坦层(18)；顶发射型OLED(3)的阳极(31)制备在平坦层(18)上并与驱动TFT(T2)接触；所述步骤S4在辅助电极(7)上对应避开开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的位置涂布单层纳米金球(9)。

2.如权利要求1所述的顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺制备顶发射型OLED(3)。

3.如权利要求1所述的顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2还包括制备位于阳极(31)与有机发光材料层(32)之间、及平坦层(18)与有机发光材料层(32)之间的像素定义层(2)；所述像素定义层(2)具有暴露出部分阳极(31)的过孔(21)，所述顶发射型OLED(3)对应于所述过孔(21)的区域为发光区域(A1)，其它区域为非发光区域(A2)。

4.如权利要求1所述的顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3采用黄光制程制备金属线，以所述金属线作为辅助电极(7)；或者采用丝网印刷纳米银浆，以纳米银浆作为辅助电极(7)；再或者采用喷墨打印纳米银浆，以纳米银浆作为辅助电极(7)。

5.如权利要求1所述的顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述纳米金球(9)包括塑料微粒子(91)、镀在塑料微粒子(91)外表面的镍层(92)、及镀在镍层(92)外表面的金层(93)；所述步骤S4将纳米金球(9)均匀混合于树脂溶剂或封装吸水材料中进行涂布。

6.一种顶发射型OLED显示器件结构，其特征在于，包括：

TFT阵列基板(1)；

设在所述TFT阵列基板(1)上的呈矩阵式分布的多个顶发射型OLED(3)；每一顶发射型OLED(3)包括自下至上依次层叠的阳极(31)、有机发光材料层(32)、及透明阴极(33)；每一顶发射型OLED(3)具有发光区域(A1)、及除发光区域(A1)以外的非发光区域(A2)；

与TFT阵列基板(1)对组的封装盖板(5)；

于封装盖板(5)上对应顶发射型OLED(3)的非发光区域(A2)的部分设置的辅助电极(7)；

以及涂布在所述辅助电极(7)上的单层纳米金球(9)；

所述纳米金球(9)导通辅助电极(7)与顶发射型OLED(3)的透明阴极(33)；

所述TFT阵列基板(1)包括呈矩阵式分布的多个开关TFT(T1)、与开关TFT(T1)对应连接的多个驱动TFT(T2)、以及覆盖开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的平坦层(18)；顶发射型OLED(3)的阳极(31)制备在平坦层(18)上并与驱动TFT(T2)接触；所述纳米金球(9)涂布在辅助电极(7)上对应避开开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的位置。