[发明专利]彩膜基板及其制备方法、显示装置和涂胶系统

说明书

本发明提出了彩膜基板、显示面板及其制备方法和应用。该制备彩膜基板的方法的形成透明绝缘层的步骤中，根据与该彩膜基板配对的阵列基板上的金属膜层的厚度，确定透明绝缘层的厚度。本发明所提出的制备彩膜基板的方法，根据TFT基板上金属膜层的厚度信息，调节CF基板的透明绝缘层的形成厚度，从而使对盒处理后CF基板透明绝缘层上任一点到TFT基板上金属膜层的垂直距离更均匀，提高Cell段填充液晶后的Cell Gap的均一性，有效地解决由于TFT基板上表面溅射成膜厚度差异所带来的Mura等画面品质问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，本发明涉及彩膜基板及其制备方法、显示装置和涂胶系统。更具体的，涉及制备彩膜基板的方法、彩膜基板、显示装置和涂胶系统。

背景技术

随着TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器)的技术发展，对该显示器的画面品质的要求日益增高。目前，现有的制造工艺中最终在Cell段(即成盒工艺，包括形成配向膜、滴液晶、对盒等操作)填充液晶后，获得的Cell Gap(液晶单元盒厚)的均一性不高，就会导致在通电使用过程中指示器亮度的不均匀，进一步造成出现各种瑕疵，即出现Target(靶材)Mura问题，如此容易造成制造的显示器的次级品率较高。

所以，现阶段TFT-LCD显示面板的制造方法有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

本发明是基于发明人的下列发现而完成的：

本发明人在研究过程中发现，TFT-LCD显示面板的具体结构主要包括CF(ColorFilm，彩膜)基板、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板和填充其间的液晶。参照图1(其中，下图为阵列基板结构示意图，上图为四探针法测定阵列基板上金属膜层厚度的结果图，颜色越深表示膜层厚度越大)，由于，TFT基板200上表面的平行排列的多根靶材210在镀膜过程中，容易形成单根靶材中间的膜厚偏高(颜色较深)，而两根靶材间隙的成膜厚度相对较薄(颜色较浅)。发明人还发现TFT基板上表面的厚度差在左右。而CF基板通常包括衬底、间隔设置在衬底下表面的黑矩阵层和彩色滤光层，以及覆盖黑矩阵层和彩色滤光层的透明绝缘层，其中，透明绝缘层的下表面是平整的平面，且由于配向膜为厚度均匀的膜层，无法对阵列基板表面的厚度差异进行补偿，由此，由于阵列基板上溅射成膜导致的高度差，配对后的CF基板的下表面与TFT基板上表面之间的Cell Gap就会存在均一性差的问题，从而在显示器使用过程中容易出现Mura现象。

本发明的发明人经过深入研究发现，在CF基板的制备过程中，根据TFT基板表面的Array(阵列)反馈信息对CF基板的透明绝缘层厚度进行相应的调节，如此可实现CF基板厚度的可调节性，从而对TFT基板表面的Array的厚度差异进行补偿，进一步提高Cell段填充液晶后的Cell Gap的均一性，有效地解决由于TFT基板上表面溅射成膜厚度差异所带来的Mura等画面品质问题。

有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种提高Cell段填充液晶后Cell Gap均一性的制备彩膜基板的方法。

在本发明的第一方面，本发明提出了一种制备彩膜基板的方法。

根据本发明的实施例，在形成透明绝缘层的步骤中，根据与所述彩膜基板配对的阵列基板上的金属膜层的厚度，确定所述透明绝缘层的厚度。

发明人意外地发现，采用本发明实施例的制备彩膜基板的方法，根据存在表面高度差异的阵列基板上金属膜层的厚度信息，调节CF基板的透明绝缘层的形成厚度，可以根据实际使用需要，使得阵列基板和彩膜基板之间满足特定的要求，以提高其使用效果。在本发明的一些实施例中，可以使得透明绝缘层的厚度补偿阵列基板上表面的厚度差异，进而有效提高Cell段填充液晶后的Cell Gap的均一性，有效地解决由于TFT基板上表面溅射成膜厚度差异所带来的Mura等画面品质问题。