[发明专利]光传感器及摄像装置

说明书

技术领域

本发明涉及光传感器。本发明还涉及摄像装置。

背景技术

以往，在光检测装置、图像传感器等中使用光检测元件。光检测元件的典型例子是光电二极管、光电晶体管等光电变换元件。如周知那样，通过检测因光的照射而在光电变换元件中产生的光电流，能够检测光。

下述的专利文献1在图2中公开了一种薄膜晶体管(TFT)，其具有在有机聚合物中分散有规定的化合物的有机膜作为栅极绝缘膜。作为构成有机膜的规定的化合物，可以选择通过光的照射而极化状态变化的化合物。在专利文献1的薄膜晶体管中，当光照射到栅极绝缘膜时，栅极绝缘膜的介电常数变化。因此，通过向栅极绝缘膜照射光，在源极－漏极间流过的电流变化。在专利文献1中，记载了能够将这样的薄膜晶体管用于光传感器。

专利文献1：日本特开2011－60830号公报

发明内容

本发明提供一种具有新的结构的光传感器。

根据本发明的非限定性的例示性实施方式，提供以下技术方案。

一种光传感器，具备：光电变换部，包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、以及夹在第1电极与第2电极之间的光电变换层；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极；连接部，将第1电极与第1栅极电连接；以及布线层，位于第1晶体管与光电变换部之间，包括连接部的一部分；第1晶体管，将通过向光电变换层的光入射而产生的、第1电极和第2电极之间的介电常数的变化所对应的电信号，从第1源极及第1漏极的一方输出；布线层包括与第1源极及第1漏极的一方连接的第1布线、和在动作时的规定期间中电位被固定的第2布线；第1布线与连接部之间的距离小于第2布线与连接部之间的距离。

总括性或具体性的形态也可以通过元件、器件、装置、系统、集成电路或方法实现。此外，总括性或具体性的形态也可以通过元件、器件、装置、系统、集成电路及方法的任意组合实现。

公开的实施方式的追加性效果及优点根据说明书及附图会变得清楚。效果及/或优点由在说明书及附图中公开的各种各样的实施方式或特征分别提供，并非为了得到它们中的1个以上而需要全部。

根据本发明的一技术方案，提供一种具有新的结构的光传感器。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的光传感器的概略的示意性电路图。

图2是表示光传感器10的器件构造的典型例的示意性剖视图。

图3是表示比较例的光传感器的器件构造的示意性剖视图。

图4是图3所示的光传感器10C的等价电路图。

图5是表示与光电变换部12的电容值Cp的变化对应的、在比较例的光传感器10C中将光电变换部12及信号检测晶体管13的组看作单一的场效应晶体管时的栅极电容值Cc的变化的计算结果的例子的曲线图。

图6是图2所示的光传感器10的等价电路图。

图7是表示与光电变换部12的电容值Cp的变化对应的、在光传感器10中将光电变换部12及信号检测晶体管13的组看作单一的场效应晶体管时的栅极电容值C的变化的计算结果的例子的曲线图。

图8是表示光传感器10中的各布线的布局的一例的平面图。

图9是表示在连接部42的周围配置的布线的布局的另一例的平面图。

图10是表示在连接部42的周围配置的布线的布局的再另一例的平面图。

图11是表示本发明的第2实施方式的摄像装置的例示性电路结构的概略的图。

图12是像素单元20的等价电路图。

图13是表示像素单元20的器件构造的典型例的示意性剖视图。

图14是表示第2实施方式的第1变形例的像素单元20A的器件构造的示意性剖视图。

图15是表示第2实施方式的第2变形例的像素单元20B的器件构造的示意性剖视图。

图16是表示由包含萘酞菁锡的材料形成的光电变换层的吸收波谱的一例的图。

图17是具有用包含由一般式(1)表示的萘酞菁锡的有机半导体材料形成的光电变换构造120s的光电变换层的示意性剖视图。

图18是表示光电变换层12b中的光电流特性的典型例的曲线图。

图19是表示摄像装置100的像素单元的变形例的示意性剖视图。

图20是表示相机系统的例示性结构的框图。

标号说明

10 光传感器

12 光电变换部

12a 像素电极

12b 光电变换层