[发明专利]光传感器及摄像装置

权利要求书

1.一种光传感器，其特征在于，

具备：

光电变换部，包括第1电极、与上述第1电极对置的第2电极、以及夹在上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层；

第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极；

连接部，将上述第1电极与上述第1栅极电连接；以及

布线层，位于上述第1晶体管与上述光电变换部之间，包括上述连接部的一部分；

上述第1晶体管，将通过向上述光电变换层的光入射而产生的、上述第1电极和上述第2电极之间的介电常数的变化所对应的电信号，从上述第1源极及上述第1漏极的一方输出；

上述布线层包括与上述第1源极及上述第1漏极的一方连接的第1布线、和在动作时的规定期间中电位被固定的第2布线；

上述第1布线与上述连接部之间的距离小于上述第2布线与上述连接部之间的距离。

2.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

上述第2布线连接于上述第1晶体管的上述第1源极及上述第1漏极的另一方。

3.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

还包括具有第2栅极、第2源极及第2漏极的第2晶体管；

上述第2源极及上述第2漏极的一方连接于上述第1源极及上述第1漏极的上述一方；

上述第2源极及上述第2漏极的另一方连接于上述第1布线；

上述第1布线经由上述第2晶体管而连接于上述第1源极及上述第1漏极的一方。

4.如权利要求3所述的光传感器，其特征在于，

上述第2布线连接于上述第1晶体管的上述第1源极及上述第1漏极的另一方。

5.如权利要求3所述的光传感器，其特征在于，

上述第2布线连接于上述第2晶体管的上述第2栅极。

6.如权利要求4所述的光传感器，其特征在于，

上述布线层还具备在动作时的规定期间中电位被固定的第3布线；

上述第3布线连接于上述第2晶体管的上述第2栅极；

上述第1布线与上述连接部之间的距离小于上述第3布线与上述连接部之间的距离。

7.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

还包括具有第2栅极、第2源极及第2漏极的第2晶体管；

上述第2源极及上述第2漏极的一方连接于上述第1源极及上述第1漏极的上述一方；

上述第2源极及上述第2漏极的另一方连接于上述第1布线；

上述第1布线连接于上述第1晶体管及上述第2晶体管之间；

上述第2布线连接于上述第2栅极。

8.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

还包括具有第2栅极、第2源极及第2漏极的第2晶体管；

上述第2源极及上述第2漏极的一方连接于上述第1源极及上述第1漏极的另一方。

9.如权利要求8所述的光传感器，其特征在于，

上述第2布线连接于上述第2晶体管的上述第2源极及上述第2漏极的另一方。

10.如权利要求8所述的光传感器，其特征在于，

上述第2布线连接于上述第2晶体管的上述第2栅极。

11.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，

上述布线层还具备在动作时的规定期间中电位被固定的第3布线；

上述第3布线连接于上述第2晶体管的上述第2栅极；

上述第1布线与上述连接部之间的距离小于上述第3布线与上述连接部之间的距离。

12.如权利要求1～11中任一项所述的光传感器，其特征在于，

上述第1布线位于上述连接部的上述一部分与上述第2布线之间。

13.如权利要求6或11所述的光传感器，其特征在于，

上述第1布线位于上述连接部的上述一部分与上述第3布线之间。

14.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，

在俯视中，上述第1布线将上述连接部的上述一部分包围。