[发明专利]氧化亚铜纳米颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 201710081090.5 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN108425140B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张军;封心建;靳健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/36;C25D5/54;C25D3/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米颗粒 氧化亚铜 导电基 超疏水 制备 恒电流沉积 水溶性铜盐 沉积液 电沉积 络合盐 纳米材料制备技术 制备方法工艺 浸入 工作电极 浸润性 铜离子 阴离子 中强碱 基底 疏水 环保 配制 溶解 | ||
1.一种氧化亚铜纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括：
选取一超疏水导电基底；
配制沉积液：溶解水溶性铜盐与水溶性络合盐，并调节至中性；其中，所述水溶性络合盐选自乳酸钠、乳酸钾、柠檬酸钠、柠檬酸钾中的至少一种，所述水溶性络合盐的物质的量浓度为1mol/L～5mol/L，所述水溶性铜盐中铜离子与所述水溶性络合盐中阴离子的物质的量之比为1:5～1:30；
恒电流沉积：将所述超疏水导电基底浸入所述沉积液中，并以所述超疏水导电基底作为工作电极，在-0.5mA/cm2～-0.1mA/cm2的电流密度下进行恒电流沉积，在所述超疏水导电基底的表面上获得氧化亚铜纳米颗粒；
其中，所述恒电流沉积采用三电极体系，在三电极体系中，对电极为铂丝，参比电极为饱和甘汞电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述超疏水导电基底的制作方法具体为：
选取一导电基底并进行清洗；
对清洗后的导电基底的表面进行疏水化处理，获得所述超疏水导电基底。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述导电基底的材料为碳纤维或不锈钢网，用于疏水化处理的疏水处理试剂为聚四氟乙烯乳液。
4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于，在所述沉积液中，所述水溶性铜盐的物质的量浓度为0.1mol/L～1mol/L。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述水溶性铜盐选自硫酸铜、氯化铜、硝酸铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，恒电流沉积时间为10min～60min。
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