[发明专利]接触垫结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种接触垫结构及其制作方法。其制作方法为首先提供一材料层，然后形成一开口于该材料层内，形成一导电层于材料层上并填入该开口，形成一图案化掩模于导电层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层以形成一导电插塞，之后再进行一整形制作工艺来改变导电插塞上半部的形状。

技术领域

本发明涉及一种制作接触垫结构的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器的存储节点(storage node)接触垫的方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明一实施例公开一种制作接触垫结构的方法。首先提供一材料层，然后形成一开口于该材料层内，形成一导电层于材料层上并填入该开口，形成一图案化掩模于导电层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层以形成一导电插塞，之后再进行一整形(shaping)制作工艺来改变导电插塞上半部的形状。

本发明另一实施例公开一种接触垫结构，其主要包含一材料层以及一导电插塞设于材料层内并突出于材料层上表面，其中导电插塞上表面包含一曲面。

本发明又一实施例公开一种接触垫结构，其主要包含一材料层以及一导电插塞设于材料层内并突出于材料层上表面，其中导电插塞上半部包含一倾斜侧壁。

附图说明

图1至图2为本发明一实施例制作一半导体元件的方法示意图；

图3至图5为本发明第一实施例接续图2制作DRAM元件的存储节点接触垫的方法示意图；

图6至图8为本发明第二实施例接续图3制作DRAM元件的存储节点接触垫的方法示意图；

图9至图10为本发明第三实施例接续图3制作DRAM元件的存储节点接触垫的方法示意图；

图11为本发明一实施例的一半导体元件的结构示意图。

主要元件符号说明

12 字符线 14 位线

16 基底 18 浅沟隔离

20 材料层 22 硬掩模

24 层间介电层 26 外延层

28 开口 30 晶体管

32 介电层 34 源极/漏极区域

36 开口 38 开口

40 导电层 42 图案化掩模

44 导电插塞 46 曲面

48 侧壁 50 边缘