[发明专利]接触垫结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作接触垫结构的方法，包含：

提供一材料层；

形成一开口于该材料层内；

形成一导电层于该材料层上并填入该开口；

形成一图案化掩模于该导电层上；

进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层以形成一导电插塞；以及

进行一整形(shaping)制作工艺来改变该导电插塞上半部的形状。

2.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，还包含进行该第一蚀刻制作工艺以同时去除部分该图案化掩模及部分该导电层。

3.如权利要求2所述的制作接触垫结构的方法，其中去除部分该图案化掩模的步骤包含将该图案化掩模由一矩形修整为一半月形。

4.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该整形步骤包含：

进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该材料层以及部分该导电插塞并使该导电插塞包含一曲面。

5.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该导电插塞突出于该材料层上表面的厚度介于500埃至700埃。

6.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，其中该整形步骤包含：

进行一第二蚀刻制作工艺去除该图案化掩模及部分该材料层；以及

进行一第三蚀刻制作工艺去除部分该导电插塞并使该导电插塞包含一倾斜侧壁。

7.如权利要求6所述的制作接触垫结构的方法，其中该第三蚀刻制作工艺包含利用氩气去除部分该导电插塞。

8.如权利要求1所述的制作接触垫结构的方法，另包含：

进行该第一蚀刻制作工艺以同时去除该图案化掩模及部分该导电层并使该导电插塞包含一倾斜侧壁。

9.如权利要求8所述的制作接触垫结构的方法，其中导电层及图案化掩模的蚀刻选择比为1：1。

10.如权利要求8所述的制作接触垫结构的方法，其中该整形步骤包含：

利用该导电插塞的该倾斜侧壁为掩模进行一第二蚀刻制作工艺以去除部分该材料层。

11.一种接触垫结构，包含：

材料层；以及

导电插塞，设于该材料层内并突出于该材料层上表面，其中该导电插塞上表面包含一曲面。

12.如权利要求11所述的接触垫结构，其中该导电插塞包含一平坦侧壁连接该曲面。

13.如权利要求12所述的接触垫结构，其中该平坦侧壁切齐该材料层的一边缘。

14.如权利要求11所述的接触垫结构，其中该接触垫结构为一动态随机存取存储器的存储节点接触垫。

15.一种接触垫结构，包含：

材料层；以及

导电插塞，设于该材料层内并突出于该材料层上表面，其中该导电插塞上半部包含一倾斜侧壁。

16.如权利要求15所述的接触垫结构，其中该导电插塞的上表面包含一平坦表面。

17.如权利要求16所述的接触垫结构，其中该倾斜侧壁连接该平坦表面。

18.如权利要求15所述的接触垫结构，其中该导电插塞包含一平坦侧壁，连接该倾斜侧壁。

19.如权利要求18所述的接触垫结构，其中该平坦侧壁切齐该材料层的一边缘。

20.如权利要求15所述的接触垫结构，其中该倾斜侧壁连接该材料层的一边缘。