[发明专利]MEMS器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括步骤：提供一半导体基底，其包括空腔，所述空腔是MEMS器件的一部分，空腔的顶部具有排列有通孔的封盖层；在所述封盖层上沉积氧化物层对封盖层上的通孔进行封闭；在所述通孔封闭完全封闭之前，对通过所述通孔对所述空腔进行灰化；继续沉积氧化物层直到所述通孔完全封闭，通过在对所述封盖层进行密封的过程中增加一步对腔体的灰化，从而有效的去除了在氧化物沉积过程中产生的絮状物缺陷，从而提高了器件的精确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种MEMS的制造方法。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)是一种可集成化生产，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路于一体的微型器件或系统。它是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的。采用MEMS技术的微电子器件在航空、航天、环境监控、生物医学以及几乎人们所接触到的所有领域中有着十分广阔的应用前景。

现有的MEMS器件的制造方法通常为在半导体基底上形成图案层和牺牲层，然后在其上形成介质层，用所述介质层制作MEMS器件的悬浮的微机械结构，将牺牲层去除，再将MEMS器件密封起来。

如图1所示的一种现有的MEMS器件制作方法的流程示意图，基本步骤包括：步骤S101、提供半导体衬底，所述半导体衬底为MEMS器件的底层半导体结构。步骤S102、在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳，根据MEMS器件中压力腔体的空间尺寸，选择所述第一牺牲层的厚度。步骤S103、刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽。步骤S104、在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层。步骤S105、图像化并刻蚀第一介质层，步骤S106、在所述第一介质层上开出通孔，步骤S107、去除第一牺牲层，并将压力空腔密封。

但是现有的MEMS器件制作方法在所述封闭空腔内存在絮状缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种MEMS器件的制造方法，以避免上述空腔内的絮状缺陷。

为解决上述技术问题，本发明提供一种MEMS器件的制造方法，包括步骤：

提供一半导体基底，其包括空腔，所述空腔是MEMS器件的一部分，空腔的顶部具有排列有通孔的封盖层；

在所述封盖层上沉积氧化物层对封盖层上的通孔进行封闭；

在所述通孔封闭完全封闭之前，对通过所述通孔对所述空腔进行灰化；

继续沉积氧化物层直到所述通孔完全封闭。

优选的，形成所述封盖层之前所述通孔为直径0.35μm的圆孔。

优选的，所述氧化物层的材料为二氧化硅。

优选的，在氧化物层厚度为时对所述空腔进行灰化。

优选的，所述灰化是利用氟基气体。

优选的，所述氧化物层的总厚度为

优选的，所述氟基气体为HF、CF₄、C₄F₈、CHF₃中的一种或多种。

优选的，所述灰化工艺中的氟基气体为氟等离子体。

优选的，所述灰化工艺的工艺温度低于200℃。

与现有技术相比，本发明提供的MEMS器件的制造方法，通过在对所述封盖层进行密封的过程中增加一步对腔体的灰化，从而有效的去除了在氧化物沉积过程中产生的絮状物缺陷，从而提高了器件的精确性。

附图说明