[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710079146.3 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106865489B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一半导体基底，其包括空腔，所述空腔是MEMS器件的一部分，空腔的顶部具有排列有通孔的封盖层；
在所述封盖层上沉积氧化物层对封盖层上的通孔进行封闭；
在所述通孔封闭完全封闭之前，通过所述通孔对所述空腔进行灰化；
继续沉积氧化物层直到所述通孔完全封闭。
2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的材料为二氧化硅。
3.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，形成所述封盖层之前所述通孔为直径0.3μm-0.4μm的圆孔。
4.如权利要求3所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，在所述氧化物层厚度为时对所述空腔进行灰化。
5.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的总厚度为
6.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述灰化是利用氟基气体。
7.如权利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氟基气体为HF、CF 4、C4F8、CHF3中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述灰化工艺中的氟基气体为氟等离子体。
9.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述灰化工艺的工艺温度低于200℃。
10.如权利要求9所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述灰化步骤，刻蚀反应腔中的压强范围为6mtorr～8mtorr，向刻蚀反应腔中通入的灰化气体流量范围为5sccm～20sccm，灰化时间范围为：20～40s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710079146.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
