[发明专利]高电容值金属隔离金属电容在审

申请号：	201710078632.3	申请日：	2017-02-14
公开（公告）号：	CN108269782A	公开（公告）日：	2018-07-10
发明（设计）人：	姜序;施能泰;吴铁将	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L23/522	分类号：	H01L23/522;H01L21/768
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	王允方
地址：	美国爱***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	三维金属结构介电层电极电容介电层隔离金属电容金属盘金属鳍状结构高电容上表面下电极衬底埋设覆盖
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【说明书】：

本发明公开了一种金属隔离金属电容，包含一衬底，其上设有一第一介电层；一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；一第二介电层，围绕所述三维金属结构；一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构，包含一高电容值金属隔离金属电容结构，及其制造方法。

背景技术

芯片上金属隔离金属电容乃公知技术，其通常被整合在混合信号电路或射频电路芯片中，作为去耦合电容，于电源分布网络中提供较佳的电压调节及抗噪能力。

为了达到最低要求的电容值，芯片上金属隔离金属电容通常需占用不少芯片面积，导致芯片尺寸及成本增加。因此，所述技术领域仍需要一种高电容值金属隔离金属电容结构，不会增加芯片尺寸及成本。

发明内容

本发明的主要目的在提供一三维金属隔离金属电容结构，具有高电容值，而能解决上述背景技术的不足与缺点。

根据本发明实施例，提供一种金属隔离金属电容，包含一衬底，其上设有一第一介电层；一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；一第二介电层，围绕所述三维金属结构；一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1至图9是剖面示意图，其是依据本发明实施例所绘示的金属隔离金属电容结构的例示作法。

其中，附图标记说明如下：

100 衬底

100a 主表面

110 介电层

110a 上表面

112 镶嵌金属盘

112a 上表面

114 镶嵌金属导线

114a 上表面