[发明专利]高电容值金属隔离金属电容在审
| 申请号： | 201710078632.3 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108269782A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 姜序;施能泰;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维金属结构 介电层 电极 电容介电层 隔离金属 电容 金属盘 金属 鳍状结构 高电容 上表面 下电极 衬底 埋设 覆盖 | ||
1.一种金属隔离金属电容，其特征在于，包含：
一衬底，其上设有一第一介电层；
一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；
一第二介电层，围绕所述三维金属结构；
一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及
一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。
2.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述金属盘是一镶嵌金属盘。
3.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述第二介电层覆盖所述金属盘所述上表面的一外围区域。
4.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，另包含一第三介电层，覆盖所述上电极及所述电容介电层。
5.根据权利要求4所述的金属隔离金属电容，其特征在于，另包含一镶嵌金属内联机，埋设于所述第三介电层中，且与所述上电极电连接。
6.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述三维金属结构包含一导孔型结构、一线型结构、一波浪型结构、一同心圆型结构或一不规则型结构。
7.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述金属盘包含铜。
8.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述三维金属结构包含铜。
9.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，所述上电极包含铜。
10.根据权利要求1所述的金属隔离金属电容，其特征在于，另包含一晶种层，介于所述三维金属结构及所述金属盘之间。
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