[发明专利]光学邻近校正检验方法、设计堆叠存储器件的布局的方法及堆叠存储器件制造方法

说明书

光学邻近校正(OPC)检验方法包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据第一位置计算第一图案的偏移值；获得第一位置与通过对于第一图案的OPC而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于偏移值和差值确定是否将要再次执行OPC。

技术领域

本公开涉及存储器件。更具体地，本公开涉及堆叠存储器件、光学邻近校正(OPC)检验方法、设计存储器件的布局的方法以及制造堆叠存储器件的方法。

背景技术

存储器件被用于存储数据，并且被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。作为非易失性存储器件的示例，快闪存储器件可以用于移动式电话、数码相机、便携式数字助理(PDA)、便携式电脑设备、固定计算机设备及其他设备中。由于对于小型高容量非易失性存储器件的需要，已经开发了堆叠存储器件。堆叠存储器件是指包括垂直地堆叠在基板上的多个存储单元或者存储单元阵列的存储器件。堆叠存储器件的外围电路区域可以受到形成存储单元阵列的工艺的影响。结果，实现堆叠存储器件的半导体芯片会故障。

发明内容

根据本公开的一方面，光学邻近校正(OPC)检验方法包括检查堆叠存储器件的布局中第一图案的第一位置。OPC检验方法还包括根据第一位置计算第一图案的偏移值。OPC检验方法还包括获得第一位置与通过OPC关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。OPC检验方法还包括基于偏移值和差值确定OPC是否要被再次进行。

根据本公开的另一方面，设计堆叠存储器件的布局的方法包括检查堆叠存储器件的初始布局中第一图案的第一位置。OPC检验方法还包括根据第一位置计算第一图案的偏移值。该方法还包括获得第一位置与通过第一光学邻近校正(OPC)关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。该方法还包括基于偏移值和差值确定是否要进行第二OPC。堆叠存储器件的最终布局基于第二图案或者通过第二OPC形成的第三图案产生。

根据本公开的另一方面，制造堆叠存储器件的方法包括设计堆叠存储器件的布局。该方法还包括根据布局中的第一图案的第一位置而计算第一图案的偏移值。该方法还包括获得第一位置与通过第一OPC关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。该方法还包括基于偏移值和差值确定是否将要进行第二OPC。基于第二图案或者通过第二OPC形成的第三图案形成掩模。通过利用该掩模的光刻工艺形成堆叠存储器件。

根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的多个晶体管。分别连接到晶体管中的第一晶体管的接触在第一方向上的位置基本上相同。第一晶体管与存储单元阵列的距离相同。

根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的第一区域的晶体管以及电连接到存储单元阵列的第二区域的晶体管。分别连接到被电连接到第一区域的晶体管中的第一晶体管的第一接触在第一方向上的第一位置基本上相同。第一晶体管与存储单元阵列的距离相同。分别连接到被电连接到第二区域的晶体管中的第二晶体管的第二接触在第一方向上的第二位置基本上相同。第二晶体管与存储单元阵列的距离相同。从存储单元阵列到第一晶体管的距离与从存储单元阵列到第二晶体管的距离相同。第一位置和第二位置不同。

根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的多个晶体管。分别连接到多个晶体管中的第一晶体管的接触沿着第二方向的位置基本上相同。第一晶体管沿着第二方向的位置相同。第二方向基本上垂直于第一方向。

附图说明

通过结合附图的以下具体实施方式，本公开的实施方式将被更清楚地理解，在附图中：