[发明专利]光学邻近校正检验方法、设计堆叠存储器件的布局的方法及堆叠存储器件制造方法

权利要求书

1.一种制造堆叠存储器件的方法，包括：

设计所述堆叠存储器件的布局，所述布局包括第一图案；

根据在所述布局中的所述第一图案的第一位置计算所述第一图案的偏移值，所述偏移值表示由于所述堆叠存储器件的存储单元阵列区域的形成工艺期间的应力导致的所述第一图案的偏移；

获得所述第一图案的所述第一位置与通过对于所述第一图案的第一光学邻近校正而形成的第二图案的第二位置之间的差值；

基于所述偏移值和所述差值，由执行软件指令的处理器确定是否将要执行第二光学邻近校正；

当所述处理器确定将要执行所述第二光学邻近校正时，通过所述第二光学邻近校正形成第三图案；

基于所述第二图案或通过所述第二光学邻近校正形成的所述第三图案，形成掩模；和

通过使用所述掩模的光刻工艺形成所述堆叠存储器件。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述堆叠存储器件包括所述存储单元阵列区域和在第一方向上邻近于所述存储单元阵列区域的外围电路区域，所述第一图案包括布置在所述外围电路区域中的接触图案。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一位置包括所述第一图案沿着所述第一方向的Y坐标。

4.如权利要求3所述的方法，其中计算所述偏移值包括计算所述偏移值使得所述第一图案的偏移方向和偏移量中的至少一个根据所述Y坐标而改变。

5.如权利要求4所述的方法，其中计算所述偏移值包括：

根据所述Y坐标选择多个计算公式中的一个；以及

利用选择的计算公式计算所述偏移值。

6.如权利要求3所述的方法，其中获得所述差值包括获得相应于所述第一位置的第一Y坐标与相应于所述第二位置的第二Y坐标之间的差值。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述第一位置包括所述第一图案沿着所述第一方向的Y坐标以及所述第一图案沿着第二方向的X坐标，并且所述第二方向基本上垂直于所述第一方向。

8.如权利要求7所述的方法，其中计算所述偏移值包括：

根据所述X坐标选择多个计算公式中的一个；以及

利用选择的计算公式计算所述偏移值。

9.如权利要求7所述的方法，其中计算所述偏移值包括：

根据所述X坐标和所述Y坐标选择多个计算公式中的一个；以及

利用选择的计算公式计算所述偏移值。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述堆叠存储器件还包括在所述第二方向上邻近于所述存储单元阵列区域的行解码器区域，

其中所述外围电路区域包括邻近于所述存储单元阵列区域的第一外围电路区域以及邻近于所述行解码器区域的第二外围电路区域，并且

其中计算所述偏移值包括：

当所述X坐标在所述第一外围电路区域中时，通过利用第一计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值；并且

当所述X坐标在所述第二外围电路区域中时，通过利用第二计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值。

11.如权利要求10所述的方法，其中计算所述偏移值还包括当所述Y坐标在所述行解码器区域中时，通过利用第三计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值。