[发明专利]半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法

说明书

本发明实施例揭示一种半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。其中，该半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层RDL。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，且所述I/O接点暴露于大体上垂直于与所述RDL相对的所述模塑料的表面的所述装置封装的侧壁处。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于例如(例如)个人计算机、蜂窝式电话、数码相机及其它电子设备的各种电子应用中。通常通过以下步骤来制造半导体装置：将各种绝缘或电介质材料层、导电材料层及半导电材料层依序沉积于半导体衬底上，且使用光刻来图案化所述各种材料层以在所述半导体衬底上形成电路组件及元件。通常将数十或数百个集成电路制造于单个半导体晶片上。通过沿切割道锯切集成电路来单粒化个别裸片。接着，将个别裸片单独封装于多芯片模块或(例如)其它类型的封装中。

半导体工业通过不断减小最小构件大小来不断改进各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。在一些应用中，这些更小电子组件需要比过去的封装更小且更先进的封装系统。

发明内容

根据一些实施例，一种半导体装置封装包含第一裸片、第二裸片以及沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸的模塑料。所述封装进一步包含横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘的重布层(RDL)。所述RDL包含电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出(I/O)接点，且所述I/O接点暴露于所述装置封装的侧壁处。

根据一些实施例，一种半导体封装包含：衬底；焊接区域，其位于所述衬底上方；及装置封装，其通过所述焊接区域来接合到所述衬底。所述装置封装包含：多个无源装置裸片；第一模塑料，其囊封所述多个无源装置裸片中的至少一者；及重布层(RDL)，其横向延伸通过所述多个无源装置裸片的边缘。由所述第一模塑料囊封的所有裸片大体上不含任何有源区域。所述RDL将所述多个无源装置裸片电连接到所述衬底。

根据一些实施例，一种制造半导体封装的方法包含：使重布层(RDL)形成于载体衬底上方；将第一裸片及第二裸片接合到所述RDL；以及将所述第一裸片及所述第二裸片囊封于模塑料中。所述方法进一步包含：移除所述载体衬底；以及沿切割道从所述第二裸片单粒化所述第一裸片，其中所述切割道延伸穿过所述RDL中的导电构件。

附图说明

从结合附图来阅读的以下详细描述最好地理解本揭露的方面。应注意，根据标准工业实践，各种构件未按比例绘制。事实上，可为了使论述清楚而随意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A到1O说明根据一些实施例的制造集成式无源装置(IPD)封装的各种中间阶段的横截面图及俯视图；

图2A到2C说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图3A到3J说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图4A到4K说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图5A到5M说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图6A到6E说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图7A到7F说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图8A到8G说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；

图9A到9G说明根据一些其它实施例的IPD封装的横截面图及俯视图；及