[发明专利]半导体装置封装以及半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

第一裸片；

第二裸片；

模塑料，其沿所述第一裸片及所述第二裸片的侧壁延伸；及

重布层RDL，其横向延伸通过所述第一裸片及所述第二裸片的边缘，其中所述RDL包括电连接到所述第一裸片及所述第二裸片的输入/输出I/O接点，其中所述RDL进一步包括将至少所述第一裸片电连接到所述I/O接点的一导线层，其中所述I/O接点的一部份暴露于所述装置封装的侧壁处，且所述导线层与所述I/O接点的一界面延伸至所述装置封装的所述侧壁处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一裸片是不含任何晶体管或二极管的集成式无源装置裸片。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二裸片包括晶体管、二极管或其组合。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述I/O接点延伸到与所述RDL相对的所述模塑料的表面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二裸片相邻于所述第一裸片。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二裸片放置于与所述第一裸片相对的所述RDL的侧上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中由所述模塑料囊封的所有裸片不含任何有源区域。

8.一种半导体封装，其包括：

衬底；

焊接区域，其位于所述衬底上方；及

第一装置封装，其通过所述焊接区域来接合到所述衬底，其中所述第一装置封装包括：

多个无源装置裸片；

第一模塑料，其囊封所述多个无源装置裸片中的至少一者，其中由所述第一模塑料囊封的所有裸片不含任何有源区域；及

第一重布层RDL，其横向延伸通过所述多个无源装置裸片的边缘，其中所述第一RDL将所述多个无源装置裸片电连接到所述衬底。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一RDL包括暴露于所述第一装置封装的侧壁处的第一输入/输出I/O接点，且其中所述焊接区域接触所述第一装置封装的所述侧壁处的所述第一I/O接点。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述第一I/O接点包括大体上与所述第一RDL相对的所述第一模塑料的第二表面齐平的第一表面。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述焊接区域进一步接触所述第一I/O接点的所述第一表面。

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其进一步包括位于所述第一装置封装上方且接合到所述衬底的第二装置封装，其中所述第二装置封装包括：

多个额外装置裸片；

第二模塑料，其囊封所述多个额外装置裸片中的至少一者；及

第二RDL，其电连接到且横向延伸通过所述多个额外装置裸片的边缘，其中所述第二RDL包括暴露于所述第二装置封装的侧壁处的第二I/O接点，且其中垂直于所述第一I/O接点的所述第一表面的线与所述第二I/O接点相交。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述第一I/O接点接触所述第二I/O接点。

14.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述多个无源装置裸片的第一者放置于与所述多个无源装置裸片的第二者相对的所述第一RDL的侧上。

15.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括：

第三RDL，其放置于与所述第一RDL相对的所述第一模塑料的侧上；及

导电通路，其延伸穿过所述第一模塑料且将所述第三RDL电连接到所述第一RDL。