[发明专利]一种LPCVD系统冷阱装置

说明书

本发明公开了一种LPCVD系统冷阱装置，包括套筒法兰组件和盘管法兰组件，套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管，盘管法兰组件包括法兰盘、设于法兰盘上的冷却水进、出口、分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管，法兰盘与筒体另一端相对接密封，导流管另一端套设于冷却水盘管上。本装置结构简单、冷却快速高效，在LPCVD系统反应室内反应产生的可凝华气态副产物进入冷阱，气流通过导流管时与冷却水盘管和散热片进行充分热交换，气体因为温度急速降低凝华成固体，冷阱装置可拆卸后进行清理，既保证了真空管道不被堵塞，同时也避免了气体在真空泵内凝华导致真空泵卡死。

技术领域

本发明属于LPCVD系统，具体涉及一种LPCVD系统冷阱装置。

背景技术

目前，市场上的高压半导体分立器件均通过LPCVD系统(LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积法，被广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积)在晶片表面形成一层表面钝化薄膜来进行保护。

LPCVD系统在运行过程中使用的气体，在其反应室内进行化学反应并产生气态副产物，这部分气态副产物随气流方向进入真空管道和真空泵。一些特殊的气态副产物会因应为温度的变化凝华为固体，凝华物不断积累会使真空管道口越来越小，最后导致堵塞；另外，真空泵因为凝华物的进入而卡死。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种LPCVD系统冷阱装置，保证了真空管道不被堵塞，同时也避免了真空泵卡死。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案：

一种LPCVD系统冷阱装置，包括套筒法兰组件和盘管法兰组件，套筒法兰组件包括筒体、设于筒体一端的出气口、设于筒体一侧的进气口以及轴向设于筒体内且一端与出气口相连通的导流管，盘管法兰组件包括法兰盘，设于法兰盘上的冷却水进、出口，分别与冷却水进、出口相连通的冷却水盘管，法兰盘与筒体另一端相对接密封，所述导流管套设于所述冷却水盘管上。

所述冷却水盘管盘成整体与导流管同轴的管状结构，且与导流管之间存在间隙。

所述冷却水进口连通有一沿冷却水盘管整体轴向设置的进水管，冷却水进口通过进水管另一端与冷却水盘管相连通。

所述冷却水盘管与进水管之间还设有冷凝机构。

所述冷凝机构包括依次排列的数层漏斗状冷凝片。

所述冷凝片上开有冷凝孔。

所述进气口与出气口分别与LPCVD系统反应室和真空泵相连通。

采用本发明的LPCVD系统冷阱装置具有以下几个优点：

1、由于导流管内设有冷却水盘管和冷凝片，气体在通过导流管势必与冷却水盘管和冷凝片充分接触，通过热交换的方式使气体温度迅速降低，可凝华的气体因为温度降低成为固态，其它非凝华气体通过冷阱进入真空泵。

2、凝华生成的固态物质沉淀留在冷阱内，而冷阱内部导流管管径相比真空管道大大增加，故不易堵塞，且冷阱是方便拆卸下来进行清理的，这样既保证了真空管道不被堵塞，同时也避免真空泵因为凝华物的进入而卡死。

附图说明

图1是本发明的LPCVD系统冷阱装置的在LPCVD系统中的安装示意图。

图2是本发明的冷阱装置的立体图。

图3是本发明的冷阱装置的轴向剖视图。

图4是本发明的套筒法兰组件的立体图。

图5是本发明的盘管法兰组件的立体图。

具体实施方式