[发明专利]半导体装置

说明书

得到一种即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通的半导体装置。在半导体基板(1)设置有从背面起贯穿至表面的通路孔(2)。电极(3)以将通路孔(2)堵塞的方式设置于半导体基板(1)的表面。金属膜(4)设置于半导体基板(1)的背面、通路孔(2)的侧壁(2a)以及电极(3)的下表面。在半导体基板(1)的背面，在金属膜(4)设置有开口(5)。开口(5)仅与通路孔(2)的外周的一部分接触。在开口(5)露出通路孔(2)的侧壁(2a)和金属膜(4)之间的界面(A)。

技术领域

本发明涉及一种设置有将半导体基板贯穿的通路孔的半导体装置。

背景技术

在获得形成有半导体元件的基板表面和其相反侧的背面之间的导通的情况下，在半导体基板设置通路孔，经由通路孔将表面侧的电极和背面侧的金属膜彼此连接(例如参照专利文献1)。

在制造上述半导体装置的情况下，首先，在半导体基板的表面形成电极。然后，对半导体基板的背面侧进行磨削直至成为规定的厚度。然后，通过抗蚀剂等，对背面的除设为通路孔的部位以外进行掩盖，对半导体基板进行蚀刻直至电极从背面侧露出。在对掩模进行去除、清洗后，在背面、通路孔的侧壁以及电极的下表面形成金属膜。由于在通路孔内露出电极的背面，因此表面侧的电极和背面侧的金属膜接触。

专利文献1：日本特开平10－303198号公报

由于半导体装置的高集成化，通路孔的平面方向的尺寸也缩小。因此，在形成通路孔时，需要进一步提高干式蚀刻的各向异性，以不会向水平方向扩展。因此，在进行蚀刻时使在通路孔侧壁形成的膜更牢固，以不会在横向进行蚀刻。因此，即使进行蚀刻后的去除、清洗也未能除尽的残渣残留于通路孔侧壁。在形成通路孔后对半导体装置进行了加热时，由于从由背面侧的金属膜覆盖的残渣产生的气体而对半导体基板和金属膜的界面施加压力。该压力在界面传递，将密接强度弱的电极和金属膜的界面扩开。其结果，存在二者的连接断开而变得不能获得导通这一问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到下述半导体装置，即，即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及金属膜，其设置于所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，在所述半导体基板的所述背面，在所述金属膜设置开口，所述开口仅与所述通路孔的外周的一部分接触，在所述开口露出所述通路孔的所述侧壁和所述金属膜之间的界面。

发明的效果

在本发明中，从残渣产生的气体在半导体基板和金属膜之间的界面传播，到达在金属膜设置的开口。开口与通路孔的外周接触，在开口处露出通路孔的侧壁和金属膜之间的界面。因此，在界面处传播的气体释放至半导体装置之外。其结果，由于能够防止电极和金属膜的连接断开，因此即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的仰视图。

图3是表示对比例所涉及的半导体装置的剖视图。

图4是表示对比例所涉及的半导体装置的剖视图。

图5是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图。

图6是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的仰视图。

图7是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图。

图8是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图。