[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及

金属膜，其设置于所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，

在所述半导体基板的所述背面，在所述金属膜设置开口，

所述开口仅与所述通路孔的外周的一部分接触，

在所述开口露出所述通路孔的所述侧壁和所述金属膜之间的界面而将在所述半导体基板和所述金属膜之间的界面传播的气体排出。

2.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及

第1及第2金属膜，它们依次层叠在所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，

所述第1金属膜的厚度是比所述第2金属膜薄且使气体透过的厚度，

在所述半导体基板的所述背面，在所述第2金属膜设置开口，

所述开口仅与所述通路孔的外周的一部分接触，

在所述开口露出所述通路孔的所述侧壁之上的所述第1金属膜和所述第2金属膜之间的界面。

3.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及

金属膜，其设置于所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，

在所述通路孔的所述侧壁，在所述金属膜设置开口，

在所述开口露出所述通路孔的所述侧壁而将在所述半导体基板和所述金属膜之间的界面传播的气体排出。

4.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及

第1及第2金属膜，它们依次层叠在所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，

所述第1金属膜的厚度是比所述第2金属膜薄且使气体透过的厚度，

在所述通路孔的所述侧壁，在所述第2金属膜设置开口，

在所述开口露出所述第1金属膜。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

电极，其以将所述通路孔堵塞的方式设置于所述半导体基板的所述表面；以及

金属膜，其设置于所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述电极的下表面，

在所述通路孔之上，在所述电极设置开口，在所述金属膜没有设置开口，

在所述开口露出所述金属膜。

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板，其设置有从背面起贯穿至表面的通路孔；

第1及第2电极，它们以将所述通路孔堵塞的方式依次层叠在所述半导体基板的所述表面；以及

金属膜，其设置于所述半导体基板的所述背面、所述通路孔的侧壁以及所述第1电极的下表面，

所述第1电极的厚度是比所述第2电极薄且使气体透过的厚度，

在所述通路孔之上，在所述第2电极设置开口，在所述第1电极、所述金属膜没有设置开口，

在所述开口露出所述第1电极。