[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一鳍状物和第二鳍状物，其中所述第一鳍状物和所述第二鳍状物包括硅；

所述第一鳍状物和所述第二鳍状物之间的隔离区；

在所述隔离区之上但是不在所述第一鳍状物之上并且不在所述第二鳍状物之上的电阻器，其中所述电阻器是平面电阻器；

耦合到所述电阻器的导电接触部；

包括所述第一鳍状物的一部分的第一晶体管，其中所述第一晶体管包括在所述第一鳍状物之上的第一栅极电极，所述第一栅极电极包括第一材料和不同于所述第一材料的第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第一鳍状物之间，所述第二材料包括钨，所述第一材料或所述第二材料包括钛，所述第一晶体管包括所述第一栅极电极和所述第一鳍状物之间的氧化硅，并且所述第一晶体管包括所述氧化硅和所述第一栅极电极之间的氧化铪；以及

包括所述第二鳍状物的一部分的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括在所述第二鳍状物之上的第二栅极电极，所述第二栅极电极包括所述第一材料和所述第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第二鳍状物之间，所述第二晶体管包括所述第二栅极电极和所述第二鳍状物之间的氧化硅，并且所述第二晶体管包括所述氧化硅和所述第二栅极电极之间的氧化铪。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电阻器具有顶部表面，所述顶部表面在所述第一鳍状物和第二鳍状物之间的位置处具有的高度大于所述第一鳍状物的高度并且大于所述第二鳍状物的高度。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电接触部延伸进入所述电阻器中的开口中。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述导电接触部具有锥形的形状。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一材料是功函数设置层。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一鳍状物和所述第二鳍状物包括未掺杂的硅。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一鳍状物和所述第二鳍状物是图案化的衬底的一部分。

8.一种集成电路(IC)管芯，包括：

第一鳍状物和第二鳍状物，其中所述第一鳍状物和所述第二鳍状物包括硅；

所述第一鳍状物和所述第二鳍状物之间的隔离区；

在所述隔离区之上但是不在所述第一鳍状物之上并且不在所述第二鳍状物之上的电阻器，其中所述电阻器是平面电阻器；

耦合到所述电阻器的导电接触部；

包括所述第一鳍状物的一部分的第一晶体管，其中所述第一晶体管包括在所述第一鳍状物之上的第一栅极电极，所述第一栅极电极包括第一材料和不同于所述第一材料的第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第一鳍状物之间，所述第二材料包括钨，所述第一材料或所述第二材料包括钛，所述第一晶体管包括所述第一栅极电极和所述第一鳍状物之间的氧化硅，并且所述第一晶体管包括所述氧化硅和所述第一栅极电极之间的氧化铪；以及

包括所述第二鳍状物的一部分的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括在所述第二鳍状物之上的第二栅极电极，所述第二栅极电极包括所述第一材料和所述第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第二鳍状物之间，所述第二晶体管包括所述第二栅极电极和所述第二鳍状物之间的氧化硅，并且所述第二晶体管包括所述氧化硅和所述第二栅极电极之间的氧化铪。

9.根据权利要求8所述的IC管芯，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括在处理器件中。