[发明专利]一种工频电磁场发生装置与铂类药物的组合方法在审

专利信息
申请号: 201710066744.7 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN106902464A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 陈希;袁林清;王璨;王金湖;朱坤;李华美 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: A61N2/04 分类号: A61N2/04;A61M37/00;G01N33/50;C12Q1/02;A61K33/24;A61K31/282;A61P35/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 赵杭丽
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁场 发生 装置 类药物 组合 方法
【权利要求书】:

1.一种工频电磁场发生装置与铂类药物的组合方法,其特征在于,通过以下步骤实现:

构建工频电磁场发生装置,采用工频50/60Hz电源,通过直流与交流自耦变压器不断改变电压,从而在辐照部件内部产生叠加的静态与交变电磁场,加载磁场平均强度为5.5毫特斯拉,对于辐照部件上受照物每天总辐照时间为60-120分钟,将铂类药物施于辐照部件上的受照物,铂类药物的剂量为:体外作用浓度为500nM,每天加药一次,体内作用剂量为20mg/kg,每周给药3次;

所述工频电磁场发生装置,由一个工频电源(1)、第一自耦变压器(2)、第二自耦变压器(3)、第一二极管电桥(4)、第二二极管电桥(5),第一组线圈(6)、第二组线圈(7)、辐照部件(8)、电压检测部件(9)、磁场检测部件(10)、测温部件(11)和终端电脑(12)组成,工频电源(1)分别与第一自耦变压器(2)和第二自耦变压器(3)的一端连接,第一自耦变压器(2)和第二自耦变压器(3)的另一端分别与第一二极管电桥(4)和第二二极管电桥(5)连接,第一二极管电桥(4)的另一端与第一组线圈(6)连接,第二二极管电桥(5)的另一端与第二组线圈(7)连接,辐照部件(8)置于第一组线圈(6)和第二组线圈(7)之间,电压检测部件(9)一端分别与第一组线圈(6)和第二组线圈(7)连接,另一端与终端电脑(12)连接,磁场检测部件(10)和测温部件(11)各自一端分别与辐照部件(8)相连,各自的另一端分别与终端电脑(12)相连。

2.根据权利要求1所述的一种工频电磁场发生装置与铂类药物的组合方法,其特征在于,所述工频电磁场发生装置中辐照部件(8)分为两种,第一种部件(8)为细胞辐照平台,由隔板一(13)、隔板二(14)、以及位于两个隔板之间的载物台(15)组成,细胞培养板放置于载物台(15)上,隔板一(13)和隔板二(14)的间距为12.9厘米,载物台(15)高度可调,保证细胞培养板底部位于辐照区域正中位置;第二种辐照部件(8)为动物辐照平台,由隔板一(13)、隔板二(14)、以及位于两个隔板之间的6个动物辐照小室(16)组成,组成动物辐照小室16的部件包括前挡板(18)、后挡板(19)、中间隔板(20)、以及小室隔板一(21)、小室隔板二(22)、小室隔板三(23)、小室隔板四(24),其中前挡板(18)和后挡板(19)钻多个小孔(17)作为透气孔,以免动物发生缺氧,隔板一(13)、隔板二(14)间距为12.9厘米,6个辐照小室(16)位于辐照区域正中位置。

3.根据权利要求1或2所述的一种工频电磁场发生装置与铂类药物的组合方法,其特征在于,所述的辐照部件(8)的材料选用透明树脂板。

4.根据权利要求1所述的一种工频电磁场发生装置与铂类药物的组合方法,其特征在于,具体通过以下步骤实现:

采用工频50/60Hz电源,通过直流与交流自耦变压器不断改变电压,从而在辐照部件内部产生叠加的静态与交变电磁场,具体改变电压方案与加载的磁场强度如下:分为T1-T8共8个时间段,T1时间段直流电压为3mV,产生静态电磁场强度为2.97mT,交流电压平均值为1.5mV,产生交变电磁场平均强度为1.48mT;T2时间段直流电压为4mV,产生静态电磁场强度为3.95mT,交流电压平均值为2.5mV,产生交变电磁场平均强度为2.47mT;T3时间段直流电压为3mV,产生静态电磁场强度为2.97mT,交流电压平均值为1.5mV,产生交变电磁场平均强度为1.48mT;T4时间段直流电压为4mV,产生静态电磁场强度为3.95mT,交流电压平均值为2.5mV,产生交变电磁场平均强度为2.47mT;T5时间段直流电压为3mV,产生静态电磁场强度为2.97mT,交流电压平均值为1mV,产生交变电磁场平均强度为1.08mT;T6时间段直流电压为4mV,产生静态电磁场强度为3.95mT,交流电压平均值为1.5mV,产生交变电磁场平均强度为1.48mT;T7时间段直流电压为3mV,产生静态电磁场强度为2.97mT,交流电压平均值为1mV,产生交变电磁场平均强度为1.08mT;T8时间段直流电压为4mV,产生静态电磁场强度为3.95mT,交流电压平均值为1.5mV,产生交变电磁场平均强度为1.48mT。

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