[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构，其特征在于，包括：

一基底；

一导电图案，包括一底部与一顶部，其中该导电图案的该底部设置于该基底上，且该导电图案在该底部的两侧壁上各具有一底部缺口，该导电图案在该顶部的两侧壁上亦各具有一顶部缺口；以及

一第一阻障层，设置于该导电图案与该基底之间，其中该底部缺口位于该导电图案与该第一阻障层的界面。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中该导电图案的一最小宽度的位置位于该底部缺口处。

3.根据权利要求2所述的互连结构，其中该导电图案还包括一中间部，该中间部位于该顶部与该底部之间，且该导电图案的一最大宽度的位置位于该中间部。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其中该导电图案的该最大宽度的位置为正斜率与负斜率的转变位置。

5.根据权利要求2所述的互连结构，其中该第一阻障层的宽度大于该导电图案的该最小宽度。

6.根据权利要求1所述的互连结构，还包括一介电层，设置于该导电图案两侧的该基底上，其中该底部缺口和该顶部缺口位于该介电层与该导电图案之间。

7.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；以及

在该基底上形成一导电图案，其中该导电图案包括一底部与一顶部，且该导电图案在该底部的两侧壁上各具有一底部缺口，该导电图案在该顶部的两侧壁上亦各具有一顶部缺口；以及

提供一第一阻障层，该第一阻障层设置于该导电图案与该基底之间，该底部缺口位于该导电图案与该第一阻障层的界面。

8.根据权利要求7所述的互连结构的制造方法，其中该导电图案的制造方法包括：

在该基底上形成一导电图案材料层；

在该导电图案材料层上形成一图案化罩幕层；

以该图案化罩幕层为罩幕，对该导电图案材料层进行一第一蚀刻制程，其中该第一蚀刻制程所使用的一第一蚀刻气体包括一氯气与一三氯化硼，且该第一蚀刻制程中的该三氯化硼的流量小于或等于该氯气的流量；以及

在进行该第一蚀刻制程之后，以该图案化罩幕层为罩幕，对该导电图案材料层进行一第二蚀刻制程，其中该第二蚀刻制程所使用的一第二蚀刻气体包括该氯气与该三氯化硼，且该第二蚀刻制程中的该三氯化硼的流量大于该氯气的流量。

9.根据权利要求7所述的互连结构的制造方法，还包括在该导电图案两侧的该基底上形成一介电层，其中该底部缺口和该顶部缺口位于该介电层与该导电图案之间。