[发明专利]存储器自动修复电路有效

申请号：	201710066123.9	申请日：	2017-02-06
公开（公告）号：	CN108399937B	公开（公告）日：	2021-06-04
发明（设计）人：	姚泽华;陈懿范	申请（专利权）人：	晶豪科技股份有限公司
主分类号：	G11C29/44	分类号：	G11C29/44;G11C29/00
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	王珊珊
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	存储器自动修复电路
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【说明书】：

存储器自动修复电路包括一解码电路，一锁存致能电路以及一第一锁存电路。该解码电路用以比较一第一输入地址和多个不良地址，藉以产生一控制信号。该锁存致能电路用以至少根据该控制信号以选择性地产生一第一致能信号。该第一锁存电路用以接收该第一输入地址，且在接收该第一致能信号后存储该第一输入地址。当该控制信号指示该第一输入地址和该等不良地址的其中一个相同时，该锁存致能电路阻止该致能信号传送到该第一锁存电路。

技术领域

本发明涉及一种存储器自动修复电路。

背景技术

存储器元件的测试通常有两阶段：裸晶测试(Chip Probing，CP)和最终测试(Final Test，FT)。前者是针对芯片上的晶粒以针测方式进行检测，而后者是针对封装后的成品，再进行一次电性测试。在测试过程中，当发现对应到一输入地址的字线有缺陷时，通常会选取一冗余字线来替换有缺陷的字线。当对应到一特定地址的一字线被发现有缺陷时，有可能在两个不同测试阶段中有两条冗余字线对应到该特定地址，此时会出现重复选择的问题。在最终测试阶段时，也有可能出现重复选择的问题。因此，有必要提出一电路以使一特定地址仅会存取一正常字线或一冗余字线。

发明内容

根据本发明一实施例的一种存储器自动修复电路，包括一解码电路，一锁存致能电路以及一第一锁存电路。该解码电路用以比较一第一输入地址和多个不良地址，藉以产生一控制信号。该锁存致能电路用以至少根据该控制信号以选择性地产生一第一致能信号。该第一锁存电路用以接收该第一输入地址，且在接收该第一致能信号后存储该第一输入地址。当该控制信号指示该第一输入地址和该等不良地址的其中一个相同时，该锁存致能电路阻止该致能信号传送到该第一锁存电路。

附图说明

图1显示结合本发明第一实施例的存储器自动修复电路的方块示意图。

图2显示结合本发明第二实施例的存储器自动修复电路的方块示意图。

图3显示结合本发明第三实施例的存储器自动修复电路的方块示意图。

图4显示结合本发明第四实施例的存储器自动修复电路的方块示意图。

【符号说明】

100 存储器自动修复电路

101 解码电路

102 检查电路

103 锁存致能电路

104 锁存电路

105 E型熔丝电路