[发明专利]存储器自动修复电路

权利要求书

1.一种存储器自动修复电路，包括：

解码电路，用以比较第一输入地址和多个不良地址，藉以产生控制信号；

锁存致能电路，用以至少根据该控制信号以选择性地产生第一致能信号；以及

第一锁存电路，用以接收该第一输入地址，且在接收该第一致能信号后存储该第一输入地址；

其中，当该控制信号指示该第一输入地址和所述不良地址的其中一个相同时，该锁存致能电路阻止该致能信号传送到该第一锁存电路，

其中，当该控制信号指示该第一输入地址和所述不良地址的其中一个相同时，该第一锁存电路不会存储该第一输入地址，而当该解码电路对该第一输入地址进行解码后，该解码电路存取对应于所述不良地址的该其中一个的冗余字线。

2.根据权利要求1所述的存储器自动修复电路，还包括：

比较电路，用以比较该第一输入地址和第二输入地址，藉以产生比较信号至该锁存致能电路；

其中，当该比较信号指示该第一输入地址和该第二输入地址不相同时，该锁存致能电路产生第二致能信号。

3.根据权利要求2所述的存储器自动修复电路，还包括：

第二锁存电路，用以在该第一输入地址由该第一锁存电路存储后接收该第二输入地址，且在该第二致能信号由该第二锁存电路接收后存储该第二输入地址。

4.根据权利要求3所述的存储器自动修复电路，还包括：

第一E型熔丝电路，其中当该第一致能信号由该第一锁存电路接收后，该第一锁存电路存储该第一输入地址并传送至该第一E型熔丝电路以作为第一不良地址；以及

第二E型熔丝电路，其中当该第二致能信号由该第二锁存电路接收后，该第二锁存电路存储该第二输入地址并传送至该第二E型熔丝电路以作为第二不良地址。

5.根据权利要求4所述的存储器自动修复电路，其中当该第一E型熔丝电路存储该第一输入地址以作为该第一不良地址时，该第一E型熔丝电路产生第一熔断信号至该第一锁存电路，而当该第二E型熔丝电路存储该第二输入地址以作为该第二不良地址时，该第二E型熔丝电路产生第二熔断信号至该第二锁存电路。

6.根据权利要求5所述的存储器自动修复电路，其中当该第一锁存电路接收该第一熔断信号后，该第一锁存电路不会存储任何输入地址，而当该第二锁存电路接收该第二熔断信号后，该第二锁存电路不会存储任何输入地址。

7.根据权利要求2所述的存储器自动修复电路，其中当该锁存致能电路接收主动命令和测试模式命令后，该锁存致能电路忽略该比较信号而产生该第一致能信号，且当该第一致能信号产生时，该第一锁存电路存储由该主动命令所指定的第三地址。

8.根据权利要求1所述的存储器自动修复电路，还包括：

检查电路，用以接收并检查该第一输入地址以决定该第一输入地址是否对应于具有缺陷的字线；

其中当该控制信号指示该第一输入地址和所述不良地址的其中一个不同时，且该检查电路决定该第一输入地址并未对应于该具有缺陷的字线时，该第一锁存电路不会存储该第一输入地址，而该解码电路对该第一输入地址进行解码后存取对应于该第一输入地址的正常字线。