[发明专利]一种可修复氮化硅界面复合态的方法

权利要求书

1.一种可修复氮化硅界面复合态的方法，其特征在于：按照如下的步骤进行：

步骤一，沉积一，将硅片放入镀膜炉管中，保持载舟温度为400-500℃，以2-10℃/min的速率升温至440-500℃进行沉积，按照压力1500 mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间100s；

步骤二、等离子体预处理，温度为455℃，按照压力1500mTor,氨气流量3000slm，氮气流量3000slm，射频功率6200瓦，最大电流30A，脉冲开6ms，脉冲关12ms的标准进行等离子体预处理，预处理时间18s；

步骤三，沉积二，按照温度为455℃，压力1500 mTor,氨气流量3900slm，硅烷流量820sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间90s；

步骤三，沉积三，按照温度为455℃，压力1600 mTor,氨气流量5400slm，硅烷流量750sccm，射频功率7000瓦，最大电流28A，脉冲开5ms，脉冲关50ms的标准进行沉积，沉积时间390s。