[发明专利]液晶面板及其光阻图案形成方法在审
申请号: | 201710064867.7 | 申请日: | 2017-02-05 |
公开(公告)号: | CN106597732A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 龚成波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G03F7/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 及其 图案 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶面板制作工艺的技术领域,具体是涉及一种液晶面板及其光阻图案形成方法。
背景技术
液晶面板的光阻层形成过程中,一般是利用光照透过遮挡层照射光阻材料层,以将遮挡层上的图案形成于光阻材料层上。
然而现有技术中,在制作同一块基板上的光阻图案时,遮挡层的图案线宽一般都是均匀相同的,但是很多时候光阻材料层在去除溶剂的过程中,由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂去除情况不尽相同,光阻材料层中残留溶剂的含量不一致,这种情况下,如果还是利用线宽均匀相同的遮挡层进行遮挡照射时,就会导致在显影液中的溶解速度不一样,进而会导致最终形成的光阻图案的线宽有差异。固定位置的光阻图案的线宽差异很难通过设备和工艺改善,因为设备和工艺方式都是基板整面性的,无法对局部进行区别对待。
发明内容
本发明实施例提供一种液晶面板及其光阻图案形成方法,以解决现有技术中基板不同位置形成的光阻图案线宽存在差异的技术问题。
为解决上述问题,本发明实施例一方面提供了一种用于液晶面板上的光阻图案形成方法,所述方法包括:
在基板上涂布光阻材料层;
在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层;
对所述遮挡层进行光照,以在所述光阻材料层上形成光阻图案;
其中,所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。
根据本发明一优选实施例,所述遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽。
根据本发明一优选实施例,所述基板上设有接触孔。
根据本发明一优选实施例,基板上接触孔的直径为4um。
根据本发明一优选实施例,所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.2-1um。
根据本发明一优选实施例,所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.3-0.6um。
根据本发明一优选实施例,所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.5um。
根据本发明一优选实施例,所述在光阻材料层上设置带有图案的遮挡层的步骤之前还包括利用减压干燥法去除所述光阻材料层中的溶剂。
根据本发明一优选实施例,所述利用减压干燥法去除所述光阻材料层中的溶剂的步骤具体为:在涂布有光阻材料层上的基板环周设置抽气干燥泵。
为解决上述技术问题,本发明实施例还提供一种液晶面板,所述液晶面板上的光阻图案通过上述实施例中任一项所述的方法形成。
相对于现有技术,本发明提供的液晶面板及其光阻图案形成方法,通过通过将面板上光阻材料层不同位置对应的遮挡层图案线宽设置为不同,具体为遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽,以克服现有技术中由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂残留量不同,还利用相同线宽的遮挡层进行光照而产生的最终形成光阻图案线宽存在差异的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明用于液晶面板上的光阻图案形成方法一优选实施例的流程示意图;
图2是抽气孔在基板中位置分布的示意图;
图3是基板曝光前的曝光位置示意图;
图4是基板曝光后的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明作进一步的详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本发明,但不对本发明的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本发明的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,图1是本发明用于液晶面板上的光阻图案形成方法一优选实施例的流程示意图,该方法包括但不限于以下步骤。
步骤S100,在基板上涂布光阻材料层。
基板上设有接触孔(即导线连接孔),本实施例中以4um孔径的接触孔为例,当然,在其他实施例中接触孔还可以为其他的孔径数值。
光阻材料一般包括树脂(resin),感光剂(sensitizer),溶剂(solvent)三种成分混合而成,关于具体的材料种类以及混合比例,在本领域技术人员的理解范围内,此处不再一一列举。
步骤S200,利用减压干燥法去除光阻材料层中的溶剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710064867.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。