[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在至少一个器件的栅极堆叠件上方形成第一介电层并且在所述至少一个器件的接触金属层上方形成第二介电层；

实施选择性蚀刻工艺以去除所述第二介电层并暴露所述接触金属层，而不去除所述第一介电层；

在所述至少一个器件上方形成金属通孔层，其中，所述金属通孔层在所述第一介电层的上方延伸并接触位于所述栅极堆叠件相对两侧的所述接触金属层和另一接触金属层，并且其中，所述金属通孔层提供局部互连结构；以及

在所述局部互连结构上面形成多层级互连网络。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层将所述栅极堆叠件与所述局部互连结构电隔离。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供包括所述至少一个器件的衬底，其中，所述至少一个器件包括源极和漏极，并且其中，所述接触金属层和所述另一接触金属层分别设置在所述源极和所述漏极上方。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述选择性蚀刻工艺之前，在所述至少一个器件上方形成第三介电层；以及

图案化所述第三介电层以将槽限定在所述第三介电层内，其中，所述槽至少部分地确定所述局部互连结构的尺寸。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二介电层与所述第三介电层相同，并且其中，实施所述选择性蚀刻工艺图案化所述第三介电层以限定所述槽并且去除所述第二介电层，而不去除所述第一介电层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述选择性蚀刻工艺之前，在所述栅极堆叠件和所述第一介电层的侧壁上形成侧壁间隔件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述选择性蚀刻工艺去除所述第二介电层，而不去除所述侧壁间隔件。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述多层级互连网络之前，在所述局部互连结构上方形成第四介电层；以及

在所述第四介电层上方形成所述多层级互连网络。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

通过穿过所述第四介电层的通孔，提供从所述局部互连结构至所述多层级互连网络的垂直连接。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述局部互连结构的尺寸包括等于40-80纳米的局部互连长度和等于5-20纳米的局部互连宽度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层和所述第二介电层都包括SiO_x、SiN、SiO_xN_y、SiC_xN_y、SiO_xC_yN_z、AlO_x、AlO_xN_y、AlN、HfO、ZrO、HfZrO、CN或它们的组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属通孔层包括Ti、W、Co、Cu、Al、Mo、MoW、TiN、TaN、WN、硅化物或它们的组合。