[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

说明书

本发明涉及一种半导体存储装置以及其制作方法。在半导体基底上形成至少一位线结构，位线结构包括第一金属层、位线盖层与位于第一金属层以及位线盖层之间的第一硅层。形成一位线接触开孔贯穿位线盖层而暴露出部分的第一硅层，在位线接触开孔所暴露出的第一硅层上形成第一金属硅化物层，并于位线接触开孔中形成位线接触结构。位线接触结构接触第一金属硅化物层，用以与位线结构电连接。位线结构中的第一硅层可用以保护第一金属层，避免第一金属层于形成金属硅化物层的制作工艺中遭到破坏。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有位线结构的半导体存储装置以及其制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。

存储单元的MOS晶体管结构因产品需求或/及存储单元密度等考虑而有许多不同的结构设计，故有时存储单元的MOS晶体管结构会与同一芯片上其他区域的晶体管结构不同，进而造成制作工艺上的复杂度提升。因此，如何有效地整合存储单元的MOS晶体管与其他区域中不同晶体管的制作工艺对于相关业界来说是非常重要的课题。

发明内容

本发明提供了一种半导体存储装置以及其制作方法，在位线结构中的第一金属层与位线盖层之间形成一第一硅层，利用第一硅层来保护第一金属层，避免第一金属层于形成金属硅化物层的制作工艺中遭到破坏。

本发明的一实施例提供一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一半导体基底。在半导体基底上形成至少一位线结构。位线结构包括一第一金属层、一位线盖层以及一第一硅层。位线盖层位于第一金属层上，且第一硅层位于第一金属层以及位线盖层之间。形成至少一位线接触开孔，位线接触开孔贯穿位线盖层而暴露出部分的第一硅层。在位线接触开孔所暴露出的第一硅层上形成一第一金属硅化物层。在位线接触开孔中形成一位线接触结构，且位线接触结构接触第一金属硅化物层，用以与位线结构电连接。

本发明的一实施例提供一种半导体存储装置，包括一半导体基底、至少一位线结构、至少一位线接触开孔、一第一金属硅化物层以及一位线接触结构。位线结构设置于半导体基底上，且位线结构包括一第一金属层、一位线盖层以及一第一硅层。位线盖层设置于第一金属层上，且第一硅层设置于第一金属层以及位线盖层之间。位线接触开孔贯穿位线盖层，第一金属硅化物层设置于位线接触开孔所对应的第一硅层上，且位线接触开孔暴露出至少部分的第一金属硅化物层。位线接触结构设置于位线接触开孔中，且位线接触结构接触第一金属硅化物层，用以与位线结构电连接。

附图说明

图1至图11为本发明一实施例的半导体存储装置的制作方法示意图，其中

图2为图1之后的状况示意图；

图3为图2之后的状况示意图；

图4为于图3的状况下的存储节点接触的示意图；

图5为图3之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为于图6的状况下的存储节点接触的示意图；

图8为图6之后的状况示意图；

图9为于图8的状况下的存储节点接触的示意图；

图10为图8之后的状况示意图；

图11为于图10的状况下的存储节点接触的示意图。

主要元件符号说明