[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的制作方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成至少一位线结构，该位线结构包括：

第一金属层；

位线盖层，位于该第一金属层上；以及

第一硅层，位于该第一金属层以及该位线盖层之间；

形成至少一位线接触开孔，贯穿该位线盖层而暴露出部分的该第一硅层；

在该位线接触开孔所暴露出的该第一硅层上形成一第一金属硅化物层；

在该位线接触开孔中形成一位线接触结构，其中该位线接触结构接触该第一金属硅化物层，用以与该位线结构电连接；

在该半导体基底上形成至少一存储节点接触，其中该半导体基底包括多个主动区，该存储节点接触与该多个主动区中的至少一个对应且电连接；

在该存储节点接触上形成一第三金属硅化物层；以及

在该第三金属硅化物层上形成一接触结构，其中该接触结构接触该第三金属硅化物层，用以与该存储节点接触电连接，且该位线接触结构与该接触结构是以相同的制作工艺一并形成，

其中形成该位线结构的方法包括：

在该半导体基底上形成一多层堆叠结构，该多层堆叠结构包括：

金属层；

硅层，形成于该金属层上；以及

盖层，形成于该硅层上；以及

对该多层堆叠结构进行一图案化制作工艺，用以形成该位线结构。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中该半导体基底上定义有一存储单元区以及一周围区，该多层堆叠结构形成于该存储单元区以及该周围区中，且该位线结构至少部分形成于该存储单元区中。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该周围区形成至少一栅极结构，其中该栅极结构由对该多层堆叠结构进行该图案化制作工艺而与该位线结构一并形成。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置的制作方法，其中该栅极结构包括：

第二金属层，其中该第二金属层与该第一金属层由对该金属层进行该图案化制作工艺所形成；

栅极盖层，位于该第二金属层上，其中该栅极盖层与该位线盖层由对该盖层进行该图案化制作工艺所形成；以及

第二硅层，位于该第二金属层以及该栅极盖层之间，其中该第二硅层与该第一硅层由对该硅层进行该图案化制作工艺所形成。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

形成至少一栅极接触开孔，贯穿该栅极盖层而暴露出部分的该第二硅层；

在该栅极接触开孔所暴露出的该第二硅层上形成一第二金属硅化物层；以及

在该栅极接触开孔中形成一栅极接触结构，其中该栅极接触结构接触该第二金属硅化物层，用以与该栅极结构电连接。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一金属硅化物层与该第二金属硅化物层由同一制作工艺一并形成。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中该多层堆叠结构还包括非金属导电层，位于该金属层与该半导体基底之间。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置的制作方法，其中该多层堆叠结构还包括阻障层，位于该金属层与该非金属导电层之间。

9.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一金属硅化物层与该第三金属硅化物层由同一制作工艺一并形成。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置的制作方法，其中形成该第一金属硅化物层与该第三金属硅化物层的步骤包括：

在该半导体基底上形成一辅助金属层，其中该辅助金属层部分形成于该存储节点接触上且部分形成于该位线接触开孔所暴露出的该第一硅层上；以及

在该第一金属硅化物层与该第三金属硅化物层形成之后，将该辅助金属层移除。