[发明专利]光学指纹识别传感器

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学指纹识别传感器。

背景技术

近来，指纹传感器广泛应用电容型和光学型。通常，电容型指纹传感器通过用对电压和电流敏感的半导体器件检测由人体指纹形成的电容来识别指纹。相对于此，光学型指纹传感器具有耐久性良好的优点，且配置成包括光源和光学传感器。光学传感器配置成通过检测从光源发出的光来检测用户的指纹。

根据现有技术的光学指纹传感器由于太阳光等外部光线，光学传感器无法得到清晰的指纹图像。

另外，如果指纹和传感器表面的距离较远，则被相邻指纹反射的光线容易进入，因此指纹和传感器表面距离10um以上时，被指纹反射的光线掺混而导致无法得到清晰的指纹图像。

此外，为了传感器识别而使用的背光的光利用效率(能量利用效率)较低，因此生产性可能较低。

发明内容

技术问题

根据本发明的一个实施方案的光学指纹识别传感器，其目的是提高内部光利用效率。

根据本发明的一个实施方案的光学指纹识别传感器，其目的是提高指纹识别的准确性。

除了上述目的之外，根据本发明的示例性实施方案还可用于实现没有具体提到的其他目的。

技术方案

本发明的一个实施方案的光学指纹识别传感器包括玻璃基板、位于玻璃基板上的保护层、位于保护层内部的活性层、及位于保护层内部及活性层上部且包括依次层叠的第一透明氧化物层及第一金属层的功能层。

还可以包括位于活性层和功能层之间的第二金属层。

还可以包括位于活性层和第二金属层之间的第二透明氧化物层。

第二透明氧化物层和第二金属层可依次层叠。

第二透明氧化物层和第二金属层可被隔开。

第二金属层可位于所述功能层下部，第二透明氧化物层可位于活性层上。光传感器包括第二金属层及功能层。

保护层可包括位于玻璃基板上的内保护层和位于所述内保护层上的外保护层，内保护层内部可包括活性层及第二透明氧化物层，外保护层内部可包括功能层及第二金属层。

第一金属层及第二金属层可包括相同的材料。

第一金属层及第二金属层可包括Ag或Al。

第一透明氧化物层及第二透明氧化物层可包括金属氧化物。

第一透明氧化物层及第二透明氧化物层可包括IZO或SiO₂。

第一透明氧化物层包括IZO，第一透明氧化物层的厚度可为20至150nm。

第一透明氧化物层包括SiO₂，第一透明氧化物层的厚度可为50至200nm。

第一金属层及第二金属层包括Ag，第一金属层及第二金属层的厚度可为20至40nm。

第一透明氧化物层包括IZO，第一透明氧化物层的厚度可为20至150nm，第一金属层及第二金属层包括Al，第一金属层及第二金属层的厚度可为8至12nm。

保护层内部还可包括薄膜晶体管，活性层可位于从薄膜晶体管的漏极延伸的电极上。

薄膜晶体管可具有共面结构、交错结构、反向共面结构、或者反向交错结构。

还可包括位于光学指纹识别传感器下部的LCD背光。

发明效果

根据本发明的一个实施方案的光学指纹识别传感器可提高背光的光利用效率以及可提高指纹识别的准确性。

附图说明

图1是本发明一实施例的光学指纹识别传感器的剖视图。

图2及图3是本发明另一实施例的光学指纹识别传感器的剖视图。

图4至图11示出对本发明实施例的光学指纹识别传感器的反射率及透射率进行模拟及实际实验的数据。

具体实施方式

下面参照附图详细描述本发明的示例性实施方案，以使本发明所属领域的普通技术人员容易实施本发明。本发明能够以各种不同方式实施，并不限于本文所述的实施方案。为了清楚地描述本发明，附图中省略了无关的部分，整篇说明书中相同或类似的组件采用了相同的附图标记。另外，对于众所周知的公知技术，省略了其详细描述。

在整篇说明书中，某一部分“包括”或“包含”某一组件时，在没有特别相反的记载的情况下表示可进一步包括其他组件，而非排除其他组件。