[发明专利]光学指纹识别传感器

权利要求书

1.一种光学指纹识别传感器，包括：

玻璃基板；

保护层，所述保护层位于所述玻璃基板上；

活性层，所述活性层，位于所述玻璃基板上部及所述保护层内部；以及

功能层，所述功能层位于所述保护层内部及所述活性层上部，且包括依次层叠的第一透明氧化物层及所述第一金属层。

2.根据权利要求1所述的光学指纹识别传感器，还包括位于所述活性层和所述功能层之间的第二金属层。

3.根据权利要求2所述的光学指纹识别传感器，还包括位于所述活性层和所述第二金属层之间的第二透明氧化物层。

4.根据权利要求3所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第二透明氧化物层和所述第二金属层依次层叠。

5.根据权利要求3所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第二透明氧化物层和所述第二金属层被隔开。

6.根据权利要求5所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第二金属层位于所述功能层下部，

所述第二透明氧化物层位于所述活性层上。

7.根据权利要求5所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述保护层包括位于所述玻璃基板上的内保护层和位于所述内保护层上的外保护层，

所述内保护层内部包括所述活性层及所述第二透明氧化物层，

所述外保护层内部包括所述功能层及所述第二金属层。

8.根据权利要求2所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一金属层及所述第二金属层包括相同的材料。

9.根据权利要求2所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一金属层及所述第二金属层包括Ag或Al。

10.根据权利要求3所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一透明氧化物层及所述第二透明氧化物层包括金属氧化物。

11.根据权利要求3所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一透明氧化物层及所述第二透明氧化物层包括IZO或SiO₂。

12.根据权利要求1所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一透明氧化物层包括IZO，

所述第一透明氧化物层的厚度为20至150nm。

13.根据权利要求1所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一透明氧化物层包括SiO₂，

所述第一透明氧化物层的厚度为50至200nm。

14.根据权利要求2所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一金属层及所述第二金属层包括Ag，

所述第一金属层及所述第二金属层的厚度为20至40nm。

15.根据权利要求2所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述第一透明氧化物层包括IZO，所述第一透明氧化物层的厚度为20至150nm，

所述第一金属层及所述第二金属层包括Al，

所述第一金属层及所述第二金属层的为厚度为8至12nm。

16.根据权利要求1所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述保护层内部还包括薄膜晶体管，

所述活性层位于从所述薄膜晶体管的漏极延伸的电极上。

17.根据权利要求16所述的光学指纹识别传感器，其中，

所述薄膜晶体管具有共面结构、交错结构、反向共面结构、或者反向交错结构。

18.根据权利要求1所述的光学指纹识别传感器，还包括位于所述光学指纹识别传感器下部的LCD背光。