[发明专利]一种集成电路封装工艺

权利要求书

1.一种集成电路封装工艺，其特征在于：工艺过程包括：(1)在刚性基板上镀锡，所述刚性基板材质为陶瓷或刚性高分子材料；(2)在锡层上涂覆感光材料，再通过图形转移露出线路槽；(3)在图形化区锡层露出部分镀底电极；(4)在底电极上继续镀铜层；(5)在铜层上镀顶电极；(6)去除剩余感光材料；(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜；(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料；(9)树脂固化成型后直接剥离镀锡基板，露出底电极，完成封装，所述锡层进行了腐蚀多孔化，镀锡基板可回收利用；

所述工艺不需要将整个基板完全腐蚀掉。

2.根据权利要求1所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：所述刚性基板材质包括氧化铝基板、玻纤增强环氧树脂板或玻璃基板。

3.根据权利要求1所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：所述感光材料包括聚丙烯酸酯类的干膜或湿膜。

4.根据权利要求1所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：所述底电极为标准电极电势高于铜的金属材料，顶电极为标准电极电势高于铜且易于焊接的金属。

5.根据权利要求4所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：所述标准电极电势高于铜的金属材料包括金、银、钯或其合金，所述标准电极电势高于铜且易于焊接的金属包括银、钯或其合金。

6.根据权利要求1所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：铜层侧面修饰有机金属转化膜采用棕氧化或黑氧化工艺在铜的表面反应来获取。

7.根据权利要求1所述一种集成电路封装工艺，其特征在于：所述封装树脂材料包括环氧树脂。