[发明专利]元件芯片的制造方法以及元件芯片

权利要求书

1.一种元件芯片的制造方法，将具备第一面和所述第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割来形成多个元件芯片，所述第一面具有用所述分割区域划分的多个元件区域，所述元件芯片的制造方法包括：

准备工序，准备所述基板，所述基板的所述第一面侧被载体支承，并且所述基板形成有耐蚀刻层，使得覆盖与所述元件区域对置的所述第二面的区域且使与所述分割区域对置的所述第二面的区域露出；以及

等离子体处理工序，在所述准备工序之后，对被所述载体支承的所述基板实施等离子体处理，

所述等离子体处理工序包括：

分割工序，将所述第二面暴露于第一等离子体，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达所述第一面而将所述基板分割为元件芯片，成为具备所述第一面、所述第二面、以及连结所述第一面和所述第二面且形成有多个凸部的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态；以及

保护膜形成工序，在所述分割工序之后，在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下，将所述元件芯片暴露于第二等离子体，从而在所述元件芯片的所述侧面形成保护膜，

在所述保护膜形成工序中，所述保护膜至少被覆所述凸部。

2.一种元件芯片的制造方法，将具备第一面和所述第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割来形成多个元件芯片，所述第一面具有用所述分割区域划分的多个元件区域，所述元件芯片的制造方法包括：

准备工序，准备所述基板，所述基板的所述第二面侧被载体支承，并且所述基板形成有耐蚀刻层，使得覆盖所述元件区域且使所述分割区域露出；以及

等离子体处理工序，在所述准备工序之后，对被所述载体支承的所述基板实施等离子体处理，

所述等离子体处理工序包括：

分割工序，将所述第一面暴露于第一等离子体，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达所述第二面而将所述基板分割为元件芯片，成为具备所述第一面、所述第二面、以及连结所述第一面和所述第二面且形成有多个凸部的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态；以及

保护膜形成工序，在所述分割工序之后，在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下，将所述元件芯片暴露于第二等离子体，从而在所述元件芯片的所述侧面形成保护膜，

在所述保护膜形成工序中，所述保护膜至少被覆所述凸部。

3.根据权利要求1或2所述的元件芯片的制造方法，所述分割工序包括重复工序，所述重复工序交替地重复对所述基板进行蚀刻的硅蚀刻步骤和使沉积膜沉积在通过所述硅蚀刻步骤进行了蚀刻的部分的内壁的沉积膜沉积步骤，

在所述重复工序中，在所述侧面沿着第一面呈多条线状形成所述凸部。

4.根据权利要求1或2所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜是以碳氟化合物为主成分的膜。

5.根据权利要求4所述的元件芯片的制造方法，用于生成所述第二等离子体的保护膜形成用气体包含氟化碳。

6.根据权利要求1或2所述的元件芯片的制造方法，被覆所述凸部的保护膜的膜厚大于相邻的两个所述凸部的中间处的保护膜的膜厚。

7.一种元件芯片，具备具有元件区域的第一面、所述第一面的相反侧的第二面、以及连结所述第一面和所述第二面的侧面，

在所述侧面形成有多个凸部，所述侧面的至少所述凸部被保护膜所被覆，

被覆所述凸部的保护膜的膜厚大于相邻的两个所述凸部的中间处的保护膜的膜厚。

8.根据权利要求7所述的元件芯片，所述凸部沿着所述第一面呈多条线状形成在所述侧面。

9.根据权利要求7所述的元件芯片，所述保护膜是以碳氟化合物为主成分的膜。