[发明专利]组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种修整器的制造方法，尤指一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法。

背景技术

在半导体工业中，特别在目前线宽越来越小的发展趋势下，晶圆表面的平坦化步骤更为关键，目前高阶制程已全面使用化学机械研磨技术来达到全面平坦化效果。

但在化学机械研磨制程中因为抛光垫会不断的和晶圆产生摩擦，使得抛光垫上的沟纹逐渐消失，且化学机械研磨制程中产生的切削、反应生成物等都会渐渐积存在抛光垫表面的细微沟槽中，容易造成抛光垫钝化、堵塞，导致抛光垫表面劣化，容易对晶圆产生缺陷，因此，研磨垫修整器(pad dresser)遂成为化学机械研磨(CMP)制程维持晶圆平坦性、均匀性的关键，用以适度的修整抛光垫，好让抛光垫可以恢复原本的表面特性。

发明内容

为了达成上述目的，本发明提供一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于包含以下步骤：

提供一大基板，该大基板具有复数个容置槽，该容置槽中设置有一海棉以及一渗入该海棉的树脂材料；

将复数个研磨单元设置于该容置槽中，该研磨单元分别包括一小基板以及复数个固定于该小基板上的大钻石研磨颗粒，其中，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；

以一刚性模板抵压该大钻石研磨颗粒；以及

硬化该树脂材料，使该树脂材料黏着该研磨单元而将该研磨单元固定于该大基板上。

因此，相较于习知技术的化学机械研磨垫修整器，本发明采用了粒径不小于300微米的大钻石研磨颗粒，在修整研磨垫时，将相较于习知粒径较小的钻石研磨颗粒的修整器具有更好的修整性能；且本发明利用该海棉调整该研磨单元的高度，而使该研磨单元上的大钻石研磨颗粒的尖点高度一致性得以提升。

附图说明

图1至图4为本发明一实施例的制造流程示意图；

其中，10、大基板；11、容置槽；12、海绵；13、树脂材料；14、上表面；20、研磨单元；21、小基板；22、大钻石研磨颗粒；30、刚性模板；31、抵压面。

具体实施方式

于下文中，将搭配图式详细说明本发明。

请参考图1，本发明为一种制造具有大钻石单晶的化学机械研磨垫修整器之方法，包括以下步骤：

步骤S1：请参阅图1，先提供一大基板10，该大基板10具有复数个容置槽11，将复数个海棉12分别放置于该大基板10的容置槽11，接着如图2所示，将一树脂材料13渗入该海棉12，于本发明之一实施例中，该树脂材料13为环氧树脂或酚醛树脂。

步骤S2：请参阅图3，将复数个研磨单元20分别设置于该容置槽11中，该研磨单元20分别包括一小基板21以及复数个固定于该小基板21上的大钻石研磨颗粒22，其中，该大钻石研磨颗粒22具有一不小于300微米的粒径。

步骤S3：请继续参阅图3，以一刚性模板30的一抵压面31抵压该大钻石研磨颗粒22，使该大钻石研磨颗粒22的突出高度可更趋一致，如图3所示，不同的该研磨单元20的该大钻石研磨颗粒22之间在未以该刚性模板30抵压前，系具有一高度差D，但在以该刚性模板30抵压后，该高度差D将减低或消失。

步骤S4：请参阅图4，硬化该树脂材料13，使该树脂材料13黏着该研磨单元20而固定于该大基板10上。因在硬化前，系进行了步骤S3让该小基板21上的该大钻石研磨颗粒22的高度更为平坦，故硬化后各个该大钻石研磨颗粒22相距该大基板10之一上表面14的突出高度差异可缩小，以达高平坦化。

于本发明之一实施例中，该大钻石研磨颗粒22的粒径不小于500微米；于本发明之另一实施例中，该大钻石研磨颗粒22的粒径介于500微米至800微米之间。且，该研磨单元20覆盖该大基板10之面积占该大基板10一表面总面积的40％以下。该研磨单元20根据一图案排列于该大基板10上，该图案可为单圈、双圈、多圈、放射状、螺旋状或其组合。

本发明系利用该海棉12之一压缩性调整该研磨单元20之大钻石研磨颗粒22的突出高度，即该大钻石研磨颗粒22的尖端至该上表面14的距离。于一实施例中，最高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点与次高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点的高度差小于20微米，最高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，最高者所处的该研磨单元20，次高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，次高者所处的该研磨单元20，然此处的该研磨单元20系与最高的该研磨单元20为相异者。