[发明专利]基板处理装置

说明书

一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸的自转轴连结于所述载置台并用于使所述载置台自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，所述驱动齿轮部以使驱动面和所述从动齿轮的从动面相对的方式配置，为了使形成于所述驱动面和所述从动面之间的磁力线移动而使所述从动齿轮旋转，所述驱动齿轮部连接于使所述驱动面移动的驱动部。

技术领域

本申请基于2016年2月2日申请的日本专利申请第2016－018314号和2016年11月29日申请的日本专利申请第2016－231407号的优先权利益，将该日本申请的全部内容作为参照文献编入于此。

本发明涉及一种通过一边使基板公转一边向基板供给处理气体而对基板进行处理的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，为了在作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)上成膜出用于形成蚀刻掩模等的各种膜，例如进行ALD(Atomic Layer Deposition原子层沉积)。为了提高半导体装置的生产率，上述的ALD存在利用这样的装置进行的情况，即通过使载置有多个晶圆的旋转台旋转而使该晶圆公转，使其反复通过以沿着该旋转台的径向的方式配置的处理气体的供给区域(处理区域)。此外，为了对上述各膜进行成膜，存在进行CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉淀)的情况，但该CVD的成膜也与上述的ALD同样地考虑通过使晶圆公转来进行。

另外，在使这样的晶圆公转的成膜处理中，寻求在晶圆的圆周方向上均匀性较高地进行成膜。由此，寻求通过在晶圆W上形成同心圆状的膜厚分布，在晶圆的径向上也均匀性较高地进行成膜，从而在晶圆W整个表面上均匀性较高地进行成膜。更具体地讲，上述同心圆状的膜厚分布是指在距晶圆的中心等距离的沿着该晶圆的圆周方向的各位置膜厚相同或者大致相同，并且在沿着晶圆的径向的各位置成为互不相同的膜厚。

但是，在使上述的晶圆公转的成膜装置中，由于沿着旋转台的径向供给处理气体，因此，形成在晶圆上的膜厚分布有成为随着从旋转台的中心侧朝向周缘侧行进而膜厚变化的膜厚分布的倾向，存在很难在上述晶圆的圆周方向上形成均匀性较高的膜厚分布这样的问题。例如公知有通过在晶圆的面内形成预定的温度分布而进行CVD，从而形成上述同心圆状的膜厚分布的成膜装置，但在该成膜装置中，在成膜处理过程中晶圆不公转。因而，这样的结构的成膜装置无法解决上述的问题。

此外，在晶圆上成膜出同心圆状的膜的过程中，也寻求一种控制调整晶圆的成膜条件较高的再现性、成膜条件的方法。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够在一边使载置在旋转台的一个面侧的基板公转一边向该基板供给处理气体进行处理的过程中沿着基板的圆周方向实施均匀的处理。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理装置设置在处理容器内，在绕旋转轴旋转的旋转台的一个面侧载置基板，一边通过使所述旋转台旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体进行处理，该基板处理装置的特征在于，

该基板处理装置包括：

载置台，其以绕自转轴自转自如的方式设置，用于载置所述基板，该自转轴在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸；以及

磁力齿轮机构，其具有用于使所述载置台绕自转轴自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，