[发明专利]一种熔丝结构及电子装置

说明书

本发明涉及一种熔丝结构及电子装置。所述熔丝结构包括：阴极；阳极，与所述阴极间隔设置；熔丝元件，所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极；其中，所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度，且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。通过所述设置可以使所述阴极和所述阳极的厚度与所述熔丝元件的厚度的不同来实现熔丝元件的熔断，而不再在平面上通过使熔丝元件两端宽度大于所述熔丝元件中间宽度的结构实现熔丝元件的熔断，通过所述改变可以减小熔丝元件的尺寸，可以更容易的集成到高密度的IC电路中。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种熔丝结构及电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，电可编程熔丝结构(Electrically ProgrammableFuse Structure，E-fuse)得到广泛的应用，电可编程熔丝结构的主要功能是提供芯片工作期间的自动修正。在芯片某一子系统出现故障，或是消耗过多能量时，芯片可以立即通过熔断相应的电学熔丝结构来改善电路性能。

由于IC工艺遵循摩尔定律向更小尺寸迈进，常规熔丝结构的熔丝部分呈哑铃型结构，中间部分尺寸较小，而中间部分外侧的后段大尺寸金属熔丝结构由于占有面积大及高能激光擦写等原因很难在先进制程中继续使用。

为了解决上述问题需要对目前所述电可编程熔丝结构作进一步的改进。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种熔丝结构，所述熔丝结构包括：

阴极；

阳极，与所述阴极间隔设置；

熔丝元件，所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极；

其中，所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度，且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。

可选地，所述熔丝元件的两端分别位于所述阴极上和所述阳极上。

可选地，所述熔丝元件至少部分地覆盖所述阳极和所述阴极。

可选地，所述熔丝元件为宽度一致的条形结构。

可选地，所述熔丝元件的中心部分的宽度小于所述熔丝元件的两端部分的宽度。

可选地，所述熔丝元件的所述中心部分为长方体状，所述两端部分也为长方体状。

可选地，所述熔丝元件与所述阴极连接的一端的宽度与所述熔丝元件与所述阳极连接的另一端的宽度不同。

可选地，所述熔丝元件的中心部分为长方体状，所述熔丝元件的与所述阴极和所述阳极连接的两端部分均为长方体状，所述两端部分与所述中心部分连接的部分为锥体状。

可选地，所述熔丝结构还包括：

接触结构，所述接触结构分别形成于所述阴极和所述阳极中。

可选地，所述接触结构形成于所述阴极和所述阳极与所述熔丝元件在所述熔丝元件的厚度延伸的方向上重叠的部分中。

可选地，所述接触结构包括第一接触结构和第二接触结构；

其中，所述第一接触结构形成于所述阴极和所述阳极中，所述第二接触结构的一端形成于所述阴极中和所述阳极中，所述第二接触结构的另一端形成于所述阴极和所述阳极与所述熔丝元件在所述熔丝元件的厚度延伸的方向上重叠的部分中。

可选地，所述阴极中形成的所述接触结构的数目与所述阳极中形成的所述接触结构的数目不同。