[发明专利]一种熔丝结构及电子装置有效
| 申请号： | 201710060330.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346643B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔丝元件 阴极 阳极 熔丝结构 熔断 电子装置 结构实现 阴极间隔 减小 | ||
1.一种熔丝结构，其特征在于，所述熔丝结构包括：
阴极；
阳极，与所述阴极间隔设置；
熔丝元件，所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极；
接触结构，所述接触结构分别形成于所述阴极和所述阳极中，所述接触结构包括形成于所述阴极和所述阳极与所述熔丝元件在所述熔丝元件的厚度延伸的方向上重叠的部分中的结构；
其中，所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度，且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。
2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件的两端分别位于所述阴极上和所述阳极上。
3.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件至少部分地覆盖所述阳极和所述阴极。
4.根据权利要求3所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件为宽度一致的条形结构。
5.根据权利要求3所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件的中心部分的宽度小于所述熔丝元件的两端部分的宽度。
6.根据权利要求5所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件的所述中心部分为长方体状，所述两端部分也为长方体状。
7.根据权利要求5所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件与所述阴极连接的一端的宽度与所述熔丝元件与所述阳极连接的另一端的宽度不同。
8.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件的中心部分为长方体状，所述熔丝元件的与所述阴极和所述阳极连接的两端部分均为长方体状，所述两端部分与所述中心部分连接的部分为锥体状。
9.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述接触结构包括第一接触结构和第二接触结构；
其中，所述第一接触结构形成于所述阴极和所述阳极中，所述第二接触结构的一端形成于所述阴极中和所述阳极中，所述第二接触结构的另一端形成于所述阴极和所述阳极与所述熔丝元件在所述熔丝元件的厚度延伸的方向上重叠的部分中。
10.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述阴极中形成的所述接触结构的数目与所述阳极中形成的所述接触结构的数目不同。
11.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝结构还包括：
半导体衬底；
所述阴极和所述阳极间隔地位于所述半导体衬底上；
所述熔丝元件位于所述阴极、所述阳极以及所述阴极和所述阳极间的所述半导体衬底上。
12.根据权利要求1或11所述的熔丝结构，其特征在于，所述阴极、所述阳极和所述熔丝元件使用多晶硅或金属材料。
13.根据权利要求11所述的熔丝结构，其特征在于，所述半导体衬底中形成有阱区，在所述阱区中形成有隔离结构，所述阴极、所述阳极和所述熔丝元件形成于所述隔离结构上。
14.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至13之一所述的熔丝结构。
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