[发明专利]线圈结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

技术领域

本发明实施例涉及线圈结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的演进，半导体芯片/裸片正变得越来越小。与此同时，需要将更多功能集成到半导体裸片中。因此，半导体裸片需要将越来越大数目个I/O垫包装到较小区域中，且I/O垫的密度随时间迅速升高。因此，半导体裸片的封装变得更加困难，此对封装的合格率产生负面影响。

可将常规封装技术划分为两个类别。在第一类别中，晶片上的裸片是在其被锯割之前封装。此封装技术具有一些有利特征，例如较大生产量及较低成本。此外，需要较少底胶或模塑料。然而，此封装技术还有缺点。由于裸片的大小正变得越来越小，且相应封装仅可为扇入型封装，因此在这种封装中，每一裸片的I/O垫被限制于相应裸片的表面正上方的区。在裸片的有限区域的情况下，由于I/O垫的间距的限制，I/O垫的数目受限制。如果减小垫的间距，那么焊区可彼此桥接，此会导致电路故障。另外，在固定球大小的要求下，焊球必须具有特定大小，此又限制可包装于裸片的表面上的焊球的数目。

在另一封装类别中，裸片是在其被封装之前从晶片锯割。此封装技术的有利特征是形成扇出封装的可能性，此意味着可将裸片上的I/O垫重布到比裸片大的区域，且因此可增加包装于裸片的表面上的I/O垫的数目。此封装技术的另一有利特征是仅封装“已知良好裸片”，且摒弃缺陷裸片，且因此不将成本及努力浪费在缺陷裸片上。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

根据本公开的一些实施例，一种方法包含：在载体上方形成线圈，其中在所述线圈的俯视图中，所述线圈包括环绕内环的外环；将所述线圈囊封于囊封材料中；研磨所述囊封材料，其中所述线圈的所述外环及所述内环的顶部表面由于所述研磨而暴露；在所述囊封材料及所述线圈上方形成电介质层；及将所述电介质层图案化以形成第一开口及第二开口。所述线圈的第一端部及第二端部分别通过所述第一开口及所述第二开口而暴露。所述方法进一步包含形成用以电耦合到所述线圈的电连接。

根据本公开的一些实施例，一种结构包含：线圈，其具有环绕内环的外环；及囊封材料，其将所述线圈囊封于其中。所述囊封材料具有与所述外环的顶部表面及所述内环的顶部表面共面的顶部表面。所述结构进一步包含：电介质层，其位于所述囊封材料及所述线圈上方且接触所述囊封材料及所述线圈；第一开口及第二开口，其位于所述电介质层中；及第一重布线及第二重布线，其分别延伸到所述第一开口及所述第二开口中以接触所述线圈的相对端部。

附图说明

当与附图一起阅读时，依据以下详细描述最佳地理解本公开实施例的方面。注意，根据行业中的标准实践，各种构件并不按比例绘制。事实上，为讨论的清晰起见，可任意地增大或减小各种构件的尺寸。

图1到13图解说明根据一些实施例的封装的形成中的中间阶段的横截面图。

图14图解说明根据一些实施例的包含线圈、装置裸片及无源装置的封装的俯视图。

图15图解说明根据一些实施例的包含线圈且不包含装置裸片的封装的横截面图。

图16图解说明根据一些实施例的包含线圈且不包含装置裸片的封装的俯视图。

图17图解说明根据一些实施例的包含线圈、装置裸片及嵌入式无源装置的封装的横截面图。