[发明专利]线圈结构及其制造方法有效
| 申请号: | 201710057578.4 | 申请日: | 2017-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN107026094B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 余振华;江宗宪;蔡豪益;郭鸿毅;曾明鸿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/528;H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 线圈 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种线圈结构制造方法,其包括:
在载体、离型层和底介质层上方形成线圈;
通过粘合剂膜安置装置裸片到所述载体上方;
将所述线圈囊封于囊封材料中;
将所述囊封材料的顶部表面平坦化直到暴露所述线圈为止,其中当所述平坦化完成时,所述装置裸片、所述线圈及所述囊封材料的顶部表面实质上共面,且所述粘合剂膜、所述线圈及所述囊封材料的底部表面实质上共面,其中所述线圈的底部表面接触所述底介质层;
在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层;及
形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线,其中所述多个重布线电耦合到所述线圈。
2.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其中形成所述线圈进一步包括将所述线圈的底部表面形成为与所述囊封材料的底部表面基本上共面,且不将除所述线圈之外的额外导电构件囊封于所述囊封材料中。
3.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其中安置所述装置裸片包括将AC-DC转换器裸片安置在所述载体上方,其中将所述AC-DC转换器裸片囊封于所述囊封材料中,且其中所述方法进一步包括:通过所述多个重布线的部分将所述线圈电耦合到所述AC-DC转换器裸片。
4.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其进一步包括将集成式无源装置接合于所述至少一个电介质层上方,其中将所述集成式无源装置电耦合到所述多个重布线。
5.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其进一步包括:将铁氧体材料附接到所述至少一个电介质层,其中所述铁氧体材料与所述线圈重叠。
6.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其进一步包括将额外集成式无源装置安置于所述载体上方,其中将所述额外集成式无源装置囊封于所述囊封材料中。
7.根据权利要求1所述的线圈结构制造方法,其进一步包括执行单切以将所述线圈分离到封装中,其中在所述封装中无装置裸片及无源装置。
8.一种线圈结构制造方法,其包括:
在载体、离型层和底介质层上方形成线圈,其中在所述线圈的俯视图中,所述线圈包括环绕内环的外环;
通过粘合剂膜安置装置裸片到所述载体上方;
将所述线圈囊封于囊封材料中;
研磨所述囊封材料,其中所述线圈的所述外环及所述内环的顶部表面和所述装置裸片的顶部表面由于所述研磨而暴露,且当所述研磨完成时,所述粘合剂膜的底部表面高于所述线圈的底部表面及所述囊封材料的底部表面,所述粘合剂膜、所述线圈及所述囊封材料的底部表面实质上共面,其中所述线圈的底部表面接触所述底介质层;
在所述囊封材料及所述线圈上方形成电介质层;
将所述电介质层图案化以形成第一开口及第二开口,其中所述线圈的第一端部及第二端部分别通过所述第一开口及所述第二开口而暴露;及
形成用以电耦合到所述线圈的电连接。
9.根据权利要求8所述的线圈结构制造方法,其进一步包括:将所述载体与所述线圈及所述囊封材料拆分开。
10.根据权利要求8所述的线圏结构制造方法,其中所述线圈的所述外环及所述内环的底部表面与电介质材料接触。
11.根据权利要求8所述的线圈结构制造方法,其进一步包括执行单切以将所述线圈分离到封装中,其中在所述封装中无装置裸片及无源装置。
12.根据权利要求8所述的线圈结构制造方法,其进一步包括将集成式无源装置接合于所述电介质层上方。
13.根据权利要求8所述的线圈结构制造方法,其进一步包括附接与所述线圈重叠的铁氧体材料。
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