[发明专利]半导体封装

说明书

本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装包含第一元件；一第二元件，横向相邻于该第一元件；一封装件，囊封该第一元件与该第二元件；以及一横向凸块结构，实现一横向信号路径于该第一元件与该第二元件之间，其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二元件之间。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装，特别关于一种具有凸块结构的半导体封装，该凸块结构于两个横向相邻芯片之间或是芯片与传导通路之间实现一横向信号路径。

背景技术

半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的规模微小化，芯片上覆置芯片(chip-on-chip)技术目前广泛用于制造半导体元件。在此半导体封装的生产中，实施了许多制造步骤。

然而，微型化规模的半导体元件的制造变得越来越复杂。制造半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、产生裂纹、或是组件脱层。因此，半导体元件的结构与制造的修饰有许多挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体封装，包括：一第一元件；一第二元件，横向相邻于该第一元件；一封装件，囊封该第一元件与该第二元件；以及一横向凸块结构，实现一横向信号路径于该第一元件与该第二元件之间；其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二元件之间。

在本公开的一些实施例中，该第一元件与该第二元件为单一晶圆的两个相邻半导体芯片。

在本公开的一些实施例中，该第一元件与该第二元件为不同晶圆的两个半导体芯片。

在本公开的一些实施例中，该第一元件为半导体芯片，该第二元件为传导插塞。

在本公开的一些实施例中，该横向凸块结构包括：一凸块下金属层，在无使用重布线结构下，电连接该第一元件与该第二元件；以及一凸块体，位于该凸块下金属层上。

在本公开的一些实施例中，该横向凸块结构包括：一凸块下金属层，在无使用重布线结构下，电连接该第一元件与该第二元件；一传导柱，位于该凸块下金属层上；以及一凸块体，位于该传导柱上。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装还包括一垂直凸块结构，实现该第一元件的一垂直信号路径，其中该垂直凸块结构的高度不同于该横向凸块结构的高度。

在本公开的一些实施例中，该垂直凸块结构的高度大于该横向凸块结构的高度。

在本公开的一些实施例中，在无使用重布线结构下，该凸块结构实现该横向信号路径于该第一元件与该第二元件之间。因此，本公开的半导体封装的高度小于具有重布线结构的半导体封装的高度。换言之，本公开的半导体封装可符合现代半导体封装的规模微小化需求(小尺寸架构)。此外，省略重布线结构为降低半导体封装的制造成本的主要因素。

本公开的另一实施例提供一种半导体封装，包括：一第一元件；一第二元件，横向相邻于该第一元件；一封装件，囊封该第一元件与该第二元件，其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二元件之间；以及一整合信号路径，包括实现一横向信号路径的重布线结构以及实施一第一垂直信号路径的一第一凸块结构，其中该重布线结构包括电连接该第一元件与该第二元件的一传导线，而且该第一凸块结构电连接至该传导线。

在本公开的一些实施例中，该第一元件与该第二元件为单一晶圆的两个相邻半导体芯片。

在本公开的一些实施例中，该第一元件与该第二元件为不同晶圆的两个半导体芯片。

在本公开的一些实施例中，该第一元件为半导体芯片，该第二元件为传导插塞。