[发明专利]半导体封装在审
| 申请号： | 201710054390.4 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108615709A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一元件 第二元件 半导体封装 封装件 横向凸块 横向相邻 横向信号 囊封 | ||
1.一种半导体封装，包括：
一第一元件；
一第二元件，横向相邻于该第一元件；
一封装件，囊封该第一元件与该第二元件，其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二元件之间；以及
一横向凸块结构，实现一横向信号路径于该第一元件与该第二元件之间。
2.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一元件与该第二元件为一单一晶圆的两个相邻半导体芯片。
3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一元件与该第二元件为不同晶圆的两个半导体芯片。
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一元件为一半导体芯片，以及该第二元件为一传导插塞。
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中该横向凸块结构包括：
一凸块下金属层，在无使用一重布线结构下，电连接该第一元件与该第二元件；以及
一凸块体，位于该凸块下金属层上。
6.如权利要求1所述的半导体封装，其中该横向凸块结构包括：
一凸块下金属层，在无使用一重布线结构下，电连接该第一元件与该第二元件；
一传导柱，位于该凸块下金属层上；以及
一凸块体，位于该传导柱上。
7.如权利要求1所述的半导体封装，还包括一垂直凸块结构，实现该第一元件的一垂直信号路径，其中该垂直凸块结构的高度不同于该横向凸块结构的高度。
8.如权利要求7所述的半导体封装，其中该垂直凸块结构得高度大于该横向凸块结构的高度。
9.一种半导体封装，包括：
一第一元件；
一第二元件，横向相邻于该第一元件；
一封装件，囊封该第一元件与该第二元件，其中该封装件的一部分位于该第一元件与该第二元件之间；以及
一整合信号路径，包括实现一横向信号路径的一重布线结构以及实现一第一信号路径的一第一凸块结构；
其中该重布线结构包括电连接该第一元件与该第二元件的一传导线，以及该第一凸块结构电连接至该传导线。
10.如权利要求9所述的半导体封装，其中该第一元件与该第二元件为一单一晶圆的两个相邻半导体芯片。
11.如权利要求9所述的半导体封装，其中该第一元件与该第二元件为不同晶圆的两个半导体芯片。
12.如权利要求9所述的半导体封装，其中该第一元件为一半导体芯片，以及该第二元件为一传导插塞。
13.如权利要求9所述的半导体封装，其中该第一凸块结构包括：
一凸块下金属层，电连接该第一元件与该第二元件；以及
一凸块体，位于该凸块下金属层上。
14.如权利要求9所述的半导体封装，其中该第一凸块结构包括：
一凸块下金属层，电连接该第一元件与该第二元件；
一传导柱，位于该凸块下金属层上；以及
一凸块体，位于该传导柱上。
15.如权利要求9所述的半导体封装，还包括一第二凸块结构，实现该第一元件的一第二垂直信号路径，其中该第一凸块结构的高度不同于该第二凸块结构的高度。
16.如权利要求15所述的半导体封装，其中该第二凸块结构的高度大于该第一凸块结构的高度。
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